[实用新型]具有高透光电极结构的TOF传感器以及成像装置

权利要求书

1.一种具有高透光电极结构的TOF传感器，其特征在于，其包括：

半导体衬底；

对红外光有光电响应的光电二极管阵列，其形成于所述半导体衬底内；

叠加电极组，其设置于所述光电二极管阵列的光线入射一侧，其包括多层电极、多层绝缘膜和对准所述光电二极管的可透过红外光的透明区域；以及

微透镜阵列，其对准所述透明区域并设置于该透明区域的光线入射一侧；

该叠加电极组中至少有一层所述电极向所述透明区域的中心延伸并向所述衬底方向弯曲以引导光线进入所述光电二极管阵列。

2.如权利要求1所述的TOF传感器，其特征在于，所述叠加电极组中最靠近所述微透镜阵列一侧的电极往所述透明区域的中心延伸并向衬底弯曲。

3.如权利要求1所述的TOF传感器，其特征在于，所述电极向着半导体衬底弯曲的角度大于等于30度。

4.如权利要求1所述的TOF传感器，其特征在于，所述电极在所述透明区域形成的通光孔径小于该叠加电极层中任何其他电极形成的通光孔径。

5.如权利要求1所述的TOF传感器，其特征在于，该叠加电极组中至少有一层电极可透过红外线并延伸到所述透明区域覆盖超过90％的所述透明区域的面积。

6.如权利要求5所述的TOF传感器，其特征在于，所述可透过红外线的电极是该叠加电极组中最靠近所述半导体衬底的电极构成。

7.如权利要求5所述的TOF传感器，其特征在于，所述可透过红外线的电极是由多晶硅薄膜所制成。

8.如权利要求5所述的TOF传感器，其特征在于，所述可透过红外线的电极是由主要包含ITO的合金材料所制成。

9.一种成像装置，其特征在于，其包括如权利要求1至8任意一项所述的具有高透光电极结构的TOF传感器。