[实用新型]具有改进结构的电容式触控传感器

说明书

一种具有改进结构的电容式触控传感器，其是在一介电基板的两侧面分别设置一触控导电迹线图案及一辅助导电迹线图案，该辅助导电迹线图案具有微型辅助导电单元且电性搭接在该触控导电迹线图案所界定的区域范围内，该微型辅助导电单元的遮光率在1%以下；该辅助导电迹线图案用以降低该触控导电迹线图案的面电阻率；该触控导电迹线图案的面电阻值约在80‑150 ohm/sq之间，该辅助导电迹线图案的面电阻值约在0.05‑0.2 ohm/sq之间；该基板第一侧面上的触控导电迹线图案及辅助导电迹线图案与该基板第二侧面上的触控导电迹线图案及辅助导电迹线图案共同形成一电容式触控传感器。以此使电容式触控传感器具有在不减损光学特性的情况下降低触控感应电极及信号导线面电阻率的功效。

技术领域

本实用新型涉及触控传感器，特别是有关于一种被配置于触控显示设备前方使用的具有改进结构的电容式触控传感器。

背景技术

目前配置在显示器前使用的触控传感器，大都是使用透明的氧化铟锡(ITO)导电膜加工制作而成的，借由在透明ITO导电膜上刻划出数个触控感应电极及信号导线以形成触控感应结构。通常触控传感器的设计与生产，会根据产品尺寸的不同，而对透明ITO导电膜面电阻值有不同的要求；生产不同尺寸的产品，就需要使用不同条件的ITO导电膜，因此面对市场多样化尺寸的触摸板需求，导致业者的备料库存成本压力大增，且在生产制造方面面临复杂化困扰；另外，因为ITO导电膜的光学特性与导电度约略是成反比的关系，即导电度越高(面电阻值越小)光学特性越差，该特性导致在大尺寸触摸板的设计及制程开发上，面临到难以克服的瓶颈。

实用新型内容

本实用新型提供一种可在透明触控感应电极上形成辅助导电单元的电容式触控传感器结构，通过本实用新型的结构设计，可在一基板的两个侧面分别设置触控感应电极及信号导线，并在该触控感应电极及信号导线上形成辅助导电单元及辅助信号导线，以达到在不减损光学特性的情况下降低触控感应电极及信号导线的面电阻率的目的。

为达成上述目的，本实用新型所提供的具有改进结构的电容式触控传感器，其主要包含：一基板，在基板上中央部位被界定为一触控工作区域，及基板四周边缘部位被界定为一非触控工作区域；在该基板的第一侧面上设有一透明的第一触控导电层和一不透光的第一辅助导电层，第一触控导电层具有第一触控导电迹线图案，其包含数个第一触控感应电极以及数个第一信号导线，第一触控感应电极被布置在所述触控工作区域内，第一辅助导电层的面电阻率低于第一触控导电层的面电阻率，在第一辅助导电层具有第一辅助导电迹线图案，其包含数个第一微型辅助导电单元及数个第一辅助信号导线，第一微型辅助导电单元是被重叠的形成在第一触控感应电极的区域范围内，第一辅助信号导线是被重叠的形成在第一信号导线的区域范围的至少一部分；在该基板的第二侧面上设有一透明的第二触控导电层和一不透光的第二辅助导电层，第二触控导电层具有第二触控导电迹线图案，其包含数个第二触控感应电极以及数个第二信号导线，第二触控感应电极被布置在所述触控工作区域内，第二辅助导电层的面电阻率低于第二触控导电层的面电阻率，在第二辅助导电层具有第二辅助导电迹线图案，其包含数个第二微型辅助导电单元及数个第二辅助信号导线，第二微型辅助导电单元是被重叠的形成在第二触控感应电极的区域范围内，第二辅助信号导线是被重叠的形成在第二信号导线的区域范围的至少一部分；其中，第一触控导电迹线图案、第一辅助导电迹线图案、第二触控导电迹线图案和第二辅助导电迹线图案共同形成一电容式触控传感器；第一辅助导电迹线图案用以降低第一触控导电迹线图案的面电阻率，第二辅助导电迹线图案用以降低第二触控导电迹线图案的面电阻率。

其中，第一触控导电层和第二触控导电层的面电阻率均介于80~150 ohm/sq之间，第一辅助导电层和第二辅助导电层的面电阻率均介于0.05~0.2 ohm/sq之间。

其中，第一触控导电层和第二触控导电层是由氧化铟锡材料形成，第一辅助导电层和第二辅助导电层是由铜材料形成。