[实用新型]一种新型温度补偿振荡器

权利要求书

1.一种新型温度补偿振荡器，其特征在于，包括：

一振荡电路；

一基准源，耦接所述振荡电路；

一低压差稳压电路，其输入端耦接所述基准源，其输出端耦接所述振荡电路；

其中，所述基准源包括自偏置电流源电路和折叠电路，所述自偏置电流源电路至少包括一对正负温度系数的组合电阻。

2.根据权利要求1所述的新型温度补偿振荡器，其特征在于，

所述组合电阻包括串联的多晶体电阻和阱电阻。

3.根据权利要求2所述的新型温度补偿振荡器，其特征在于，

所述多晶体电阻和所述阱电阻的阻值比例为3:1。

4.根据权利要求3所述的新型温度补偿振荡器，其特征在于，

所述自偏置电流源电路包括第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2、第七PMOS管PM7和第九PMOS管PM9，第四NMOS管NM4、第五NMOS管NM5、第十三NMOS管NM13，以及由第一电阻R0、第二电阻R1构成的所述组合电阻，其中，第一POS管PM1和第二PMOS管PM2的栅极互连，第一PMOS管PM1和第二PMOS管PM2的源极均连接电压源VDD，第一PMOS管PM1的漏极与第四NMOS管NM4的漏极相连，第二PMOS管PM2的漏极与第五NMOS管NM5的漏极相连，第四、第五NOMS管NM4和NM5的栅极互连，第五NMOS管NM5的源极依次串接第一、第二电阻R0和R1，第二电阻R1的第二端与第四NMOS管NM4的源极相连，并同时接地GND；

所述自偏置电流源电路还包括第七、第九PMOS管PM7、PM9及第十三NMOS管NM13，其中第七、第九PMOS管PM7和PM9的源极均连接所述电压源VDD，其栅极互连并与第一、第二PMOS管PM1和PM2的漏极相连，第七PMOS管PM7的漏极连接第十三NMOS管NM13的漏极，第十三NMOS管NM13的源极接地GND，第七PMOS管PM7的漏极输出参考基准电压vbs，第九PMOS管PM9的漏极输出基准电流Ibs。

5.根据权利要求4所述的新型温度补偿振荡器，其特征在于，

所述折叠电路进一步包括：

与所述第一、第二PMOS管PM1和PM2相对应的第三、第四PMOS管PM3和PM4，与所述第四、第五NMOS管NM4和NM5相对应的第一、第二NMOS管NM1和NM2；

其中，所述第三PMOS管PM3的源极连接所述第二PMOS管PM2的漏极，所述第三PMOS管PM3的漏极连接所述第一NMOS管NM1的漏极，第四POS管PM4的源极连接第一PMOS管PM1的漏极，第四PMOS管PM4的漏极连接所述第二NMOS管NM2的漏极，第三、第四PMOS管PM3和PM4的栅极互连，所述第一、第二NMOS管NM1和NM2的栅极互连，第一NMOS管NM1源极连接第五NMOS管NM5漏极，第二NMOS管NM2源极连接第四NMOS管NM4漏极。

6.根据权利要求5所述的新型温度补偿振荡器，其特征在于，所述折叠电路进一步包括：

为所述第三、第四PMOS管PM3和PM4提供栅极电压的第六PMOS管PM6、第三、第十NMOS管NM3和NM10；

其中，第六PMOS管PM6的源极连接所述电压源VDD，其栅极和漏极相连，并与第三NMOS管NM3的漏极相连，第三NMOS管NM3的源极连接第十NMOS管NM10的漏极，第十NOS管NM10的源极接地GND。