[实用新型]一种石墨盘及沉积装置有效
申请号: | 201921724616.8 | 申请日: | 2019-10-15 |
公开(公告)号: | CN211284533U | 公开(公告)日: | 2020-08-18 |
发明(设计)人: | 林忠宝;彭伟伦;李明照 | 申请(专利权)人: | 厦门三安光电有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 |
代理公司: | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人: | 陈敏 |
地址: | 361100 福建省厦门*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 石墨 沉积 装置 | ||
1.一种石墨盘,其特征在于,所述石墨盘包括:石墨盘基座盘面以及设置于所述盘面上方用于放置外延晶圆片的晶圆凹槽,每个所述晶圆凹槽内侧壁上设置有多个突起,用于支撑所述外延晶圆片,每个所述晶圆凹槽内至少设置有9个所述突起,所述突起包括第一突起和第二突起,所述第一突起上表面面积小于所述第二突起上表面面积。
2.根据权利要求1的所述石墨盘,其特征在于,至少一个晶圆凹槽内部侧壁上同时设置有所述第一突起和所述第二突起。
3.根据权利要求1所述的石墨盘,其特征在于,至少一个晶圆凹槽内部侧壁上同时设置有多个所述第一突起和至少一个所述第二突起。
4.根据权利要求1所述的石墨盘,其特征在于,所述晶圆凹槽包括内圈晶圆凹槽、中圈晶圆凹槽以及外圈晶圆凹槽,每个所述内圈晶圆凹槽和/或所述中圈晶圆凹槽设置有至少10个所述第一突起,和/或每个所述外圈晶圆凹槽设置有至少8个所述第一突起和至少一个所述第二突起,且所述第一突起数量为偶数个。
5.根据权利要求4所述的石墨盘,其特征在于,每个所述晶圆凹槽于垂直盘面的方向投影形状为圆形,定义所述圆形的圆心与石墨盘盘面中心点的连线所在位置为所述晶圆凹槽的0°位置,角度沿顺时针方向增大,所述第一突起至少设置在每个所述内圈晶圆凹槽和/或所述中圈晶圆凹槽的126°、156°、204°以及234°位置上,和/或至少设置在每个所述外圈晶圆凹槽的126°以及234°位置上,所述第二突起至少有一个设置在所述外圈晶圆凹槽的160°~200°范围之间。
6.根据权利要求5所述的石墨盘,其特征在于,每个所述内圈晶圆凹槽和/或所述中圈晶圆凹槽设置有10个所述第一突起,所述第一突起分别设置在所述内圈晶圆凹槽和/或所述中圈晶圆凹槽30°、60°、90°、126°、156°、204°、234°、270°、300°以及330°的位置上。
7.根据权利要求5所述的石墨盘,其特征在于,每个所述外圈晶圆凹槽设置有8个所述第一突起和1个所述第二突起,所述第一突起分别设置在所述外圈晶圆凹槽30°、60°、90°、126°、234°、270°、300°以及330°的位置上,所述第二突起设置在所述外圈晶圆凹槽180°的位置上。
8.根据权利要求1所述的石墨盘,其特征在于,所述突起的上表面形状包括多边形和弧形中至少一种。
9.根据权利要求4所述的石墨盘,其特征在于,所述晶圆凹槽的数量至少为32个,其中,所述内圈晶圆凹槽至少设置为5个和/或所述中圈晶圆凹槽至少设置为11个,所述外圈晶圆凹槽至少设置为17个。
10.根据权利要求1所述的石墨盘,其特征在于,所述晶圆凹槽的底部包括平面型或凹面型。
11.根据权利要求1所述的石墨盘,其特征在于,每个所述晶圆凹槽于垂直盘面的方向投影形状为圆形,所述突起上方还设置有向圆形圆心延伸的多个突出部。
12.一种沉积装置,其特征在于,所述装置采用权利要求1~11任意一项所述的石墨盘作为生长外延片的载盘。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的