[实用新型]半导体存储器单元和存储器电路

说明书

本公开涉及半导体存储器单元和存储器电路。一种方法可以用来对存储器单元进行不可逆地编程，存储器单元包括MOS晶体管，MOS晶体管具有通过沟道区域分离的第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域，沟道区域邻近栅极区域。方法包括沿第一源极/漏极区域的宽度施加电流，以使第一源极/漏极区域的电阻率不可逆地增加。

技术领域

本公开总体上涉及存储器电路，并且更具体地，涉及存储器单元。

背景技术

只读存储器是具有只能被写入一次的内容的存储器。在这种类型的存储器中使用的存储器单元是不可逆编程存储器单元。

将期望至少部分地改进已知的不可逆编程可编程存储器单元的某些方面。

实用新型内容

本公开的实施例涉及不可逆编程存储器单元的形成。一个实施例克服了已知的不可改变-可编程存储器单元的全部或部分缺点。

在第一方面，提供了一种半导体存储器元件，其包括：沟道区域，布置在半导体主体中；栅极区域，覆在所述沟道区域上方；第一源极/漏极区域，与所述沟道区域邻近地布置在所述半导体主体中；第二源极/漏极区域，与所述沟道区域邻近地布置在所述半导体主体中，所述第一源极/漏极区域通过所述沟道区域与所述第二源极/漏极区域隔开；第一接触，与所述第一源极/漏极区域电接触；以及第二接触，与所述第一源极/漏极区域电接触并且与所述第一接触隔开，所述第一接触和所述第二接触被配置成使得通过在所述第一接触和所述第二接触之间施加电流，能够不可逆地增加所述第一源极/漏极区域的电阻率。

根据一个实施例，通过在所述栅极区域的两个接触之间施加所述电流，能够不可逆地增加所述栅极区域的电阻率。

根据一个实施例，所述电流大于阈值电流的两倍，在所述阈值电流处，所述第一源极/漏极区域的电阻率将不可逆地增加。

根据一个实施例，通过在所述第一接触和所述第二接触之间施加电压，能够增加所述第一源极/漏极区域的电阻率。

根据一个实施例，所述电压比控制电压大10％至20％，超过所述控制电压，所述第一源极/漏极区域的电阻率将进一步增加。

根据一个实施例，所述第一接触和所述第二接触彼此隔开一距离，所述距离在所述第一源极/漏极区域的宽度的大约40％和50％之间。

根据一个实施例，所述第一源极/漏极区域具有近似230nm的宽度，并且其中所述第一接触和所述第二接触间隔开近似100nm。

根据一个实施例，半导体存储器元件进一步包括第三接触，所述第三接触与所述第二源极/漏极区域电接触，所述第三接触延伸所述第二源极/漏极区域的宽度的至少90％。

在第二方面，提供了一种存储器电路，其包括多个如第一方面所述的半导体存储器元件。

根据一个实施例，所述存储器电路包括第一存储器单元和第二存储器单元，其中所述第一存储器单元的所述第一源极/漏极区域与所述第二存储器单元的所述第二源极/漏极区域是共同的。

根据一个实施例，每个存储器单元耦合到写入晶体管和读出晶体管。

在第三方面，提供了一种半导体存储器元件，其包括：沟道区域，布置在半导体主体中，所述沟道区域具有长度和宽度；栅极区域，覆在所述沟道区域上方；第一源极/漏极区域，与所述沟道区域邻近地布置在所述半导体主体中；第二源极/漏极区域，与所述沟道区域邻近地布置在所述半导体主体中，所述第一源极/漏极区域通过所述沟道区域与所述第二源极/漏极区域隔开；第一接触，与所述第一源极/漏极区域电接触；第二接触，与所述第一源极/漏极区域电接触，并且与所述第一接触隔开在所述宽度的大约40％和50％之间的距离；以及第三接触，与所述第二源极/漏极区域电接触，所述第三接触延伸所述宽度的至少90％。