[实用新型]一种下变频器电路有效
| 申请号： | 201921699534.2 | 申请日： | 2019-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN210201790U | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 王晋杰;张宇 | 申请（专利权）人： | 成都华兴汇明科技有限公司 |
| 主分类号： | H03D7/16 | 分类号： | H03D7/16 |
| 代理公司： | 成都君合集专利代理事务所(普通合伙) 51228 | 代理人： | 贾林 |
| 地址： | 610000 四川省成都市自由贸易试验*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 变频器 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种下变频器电路，其特征在于：包括依次连接的D1数控衰减器、下混频器、第三滤波模块；所述下混频器的插入损耗为12dB；所述D1数控衰减器的损耗为3dB。
2.根据权利要求1所述的一种下变频器电路，其特征在于：所述D1数控衰减器的型号为KAT-3+，所述下混频器的型号为HMC774ALC3B；所述D1数控衰减器的引脚4、引脚5、引脚6分别与下混频器的引脚9、引脚8、引脚7一一对应连接。
3.根据权利要求2所述的一种下变频器电路，其特征在于：所述第三滤波模块包括依次连接的D衰减模块和D低通滤波器；所述D衰减模块包括分别与下混频器引脚5连接的电阻R2和电阻R1、与电阻R1的另一端连接的电阻R3；所述电阻R3、电阻R2的另外一端接地；所述D衰减模块的插入损耗为3dB。
4.根据权利要求3所述的一种下变频器电路，其特征在于：所述D低通滤波器的型号为LFCN-2250D+；D低通滤波器的引脚1与电阻R1的另一端连接。
5.根据权利要求3或4所述的一种下变频器电路，其特征在于：所述电阻R1为18欧姆，所述R2为300欧姆，所述R3为300欧姆。
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