[实用新型]带供电的二线半双工通讯电路

权利要求书

1.一种带供电的二线半双工通讯电路，其特征在于，包括主通信单元、若干子通信单元和I/O总线；所述主通信单元通过I/O总线与若干通信单元分别连接；所述I/O总线通过输入电压Vcc供电。

2.根据权利要求1所述电路，其特征在于，所述主通信单元包括一主数据发送电路；所述主数据发送电路包括MCU-TXD接口、NMOS管N2和负载电阻R3；所述NMOS管N2的栅极与MCU-TXD接口连接；所述NMOS管N2的源极通过一电阻R1串联接地；所述NMOS管N2的漏极与R3串联接入输入电压Vcc；所述子通信单元包括一与主数据发送电路通讯的子数据接收电路；所述子数据接收电路包括RXD接口、电阻R01和电阻R02；所述电阻R01和电阻R02串联；所述RXD接口接在电阻R01和电阻R02之间；所述电阻R01与输入电压Vcc连接；所述电阻R02接入I/O总线且与接在负载电阻R3和NMOS管N2之间。

3.根据权利要求1所述电路，其特征在于，所述主通信单元还包括一主数据接收电路；所述主数据接收电路包括一MCU-RXD接口、三极管N1和电阻R1；所述MCU-RXD与三极管N1的集电极连接；所述三极管N1的发射极接地；所述三极管N1的基极与NMOS管N2的源极连接；所述电阻R1两端分别与三极管N1的基极和发射极连接；所述子通信单元包括一与主数据接收电路通讯的子数据发送电路；所述子数据发送电路包括一TXD接口和一NMOS管G3；所述TXD接口与NMOS管G3的栅极连接；所述NMOS管的源极接入I/O总线且与接在负载电阻R3和NMOS管N2之间；所述NMOS管的漏极与输入电压Vcc连接。

4.根据权利要求3所述电路，其特征在于，所述三极管N1的集电极与一电阻R2连接；所述电阻R2与一提升电压MCU-V连接。

5.根据权利要求3所述电路，其特征在于，所述NMOS管N2和NMOS管G3均设有保护二极管。

6.根据权利要求3所述电路，其特征在于，所述三极管采用NPN管。

7.根据权利要求1所述电路，其特征在于，所述子通信单元中设有储能电容。

8.根据权利要求1所述电路，其特征在于，根据权利要求1所述电路，其特征在于，Vcc采用9-18V电压，子通信单元为电子雷管，电子雷管工作电流为20-40μA，负载电阻R3为3k电阻，NMOS管N2采用AO3400管，三极管N1采用9013三极管，R2采用30k电阻，R1采用6.8k电阻。