[实用新型]一种新型MIS-HEMT器件结构有效
| 申请号： | 201921696373.1 | 申请日： | 2019-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN209766428U | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 李迈克 | 申请（专利权）人： | 中证博芯(重庆)半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 50218 重庆信航知识产权代理有限公司 | 代理人： | 穆祥维 |
| 地址： | 401573 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属氧化物绝缘层 表面形成 势垒层 降低器件 器件制备 缓冲层 漏电极 源电极 衬底 制备 半导体器件 本实用新型 沟道势垒层 势垒层表面 性能稳定性 关键特性 提升器件 一步氧化 源漏电极 栅绝缘层 直接氧化 直接制备 漏电流 图形化 栅电极 平齐 兼容 恶化 申请 成功 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型MIS-HEMT器件结构，其特征在于，包括衬底，所述衬底的表面形成有1～2μm厚的缓冲层，所述缓冲层的表面形成有30～35nm厚的势垒层，所述势垒层的表面形成有图形化的源电极和漏电极，所述源电极和漏电极之间由沟道势垒层直接氧化生成有金属氧化物绝缘层，所述金属氧化物绝缘层与源漏电极下的势垒层表面平齐，并在所述金属氧化物绝缘层的表面形成有栅电极。
2.根据权利要求1所述的新型MIS-HEMT器件结构，其特征在于，所述衬底的材质为Si、SiC或蓝宝石。
3.根据权利要求1所述的新型MIS-HEMT器件结构，其特征在于，所述缓冲层的材质为未掺杂GaAs或未掺杂GaN。
4.根据权利要求1所述的新型MIS-HEMT器件结构，其特征在于，所述势垒层的材质为AlGaAs或AlGaN。
5.根据权利要求1所述的新型MIS-HEMT器件结构，其特征在于，所述金属氧化物绝缘层的厚度为3～5nm。
6.根据权利要求1所述的新型MIS-HEMT器件结构，其特征在于，所述源电极和漏电极选用Ni/Au/Ge/Ni/Au多层金属结构，所述栅电极选用Ni/Au、Ni/Ti/Au或Ti/Au金属层叠结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中证博芯(重庆)半导体有限公司，未经中证博芯(重庆)半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201921696373.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：晶体管器件
- 下一篇：碳化硅MOSFET器件
- 同类专利
- 专利分类
