[实用新型]基板交接机构及基板处理装置有效
申请号: | 201921688081.3 | 申请日: | 2019-10-10 |
公开(公告)号: | CN210837694U | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
发明(设计)人: | 富永二郎;石原明;宫本美纪;田中裕司;犬伏祐美子 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 交接 机构 处理 装置 | ||
1.一种基板交接机构,其特征在于,
该基板交接机构包括:
处理前交接平台,其搬入并载置实施处理前的基板;
处理后交接平台,其搬入并载置实施处理后的基板;
升降机构,其使所述处理前交接平台和所述处理后交接平台一体地升降,在所述处理前交接平台位于所述升降机构的规定的下降位置且判断出处理前的基板已搬入的情况下,该升降机构使所述处理前交接平台上升到规定的高度位置,在所述处理后交接平台位于所述规定的高度位置且判断出处理后的基板已搬入的情况下,该升降机构使所述处理后交接平台下降到所述规定的下降位置。
2.根据权利要求1所述的基板交接机构,其特征在于,
所述处理前交接平台和所述处理后交接平台分别具有支承基板的多个支承销和吸附保持基板的吸附销。
3.根据权利要求1或2所述的基板交接机构,其特征在于,
还包括控制所述处理前交接平台和所述处理后交接平台的升降动作的控制部,
所述控制部基于检测在所述处理前交接平台和所述处理后交接平台分别有无载置基板的传感器的信号来进行上述判断。
4.根据权利要求2所述的基板交接机构,其特征在于,
还包括控制所述处理前交接平台和所述处理后交接平台的升降动作的控制部,
所述控制部基于检测将基板吸附于所述吸附销上的吸附压力的传感器的信号来进行上述判断。
5.根据权利要求1或2所述的基板交接机构,其特征在于,
所述处理前交接平台和所述处理后交接平台在上下方向上空开间隔地与所述升降机构的轴部连接配置,且所述处理后交接平台配置于上方。
6.根据权利要求1或2所述的基板交接机构,其特征在于,
所述处理前交接平台和所述处理后交接平台的至少一方具有利用罩体与外部划分开的空间区域,该罩体设有使基板搬入和搬出的开口部。
7.根据权利要求6所述的基板交接机构,其特征在于,
所述罩体划分设有所述处理后交接平台的一侧的空间区域,并在设有所述处理后交接平台的一侧的空间区域设置气体供给装置。
8.根据权利要求7所述的基板交接机构,其特征在于,
在所述罩体的设有所述处理后交接平台的一侧的空间区域的所述开口部设有开闭门,在所述升降机构的动作过程中,利用控制部关闭所述开闭门。
9.一种基板处理装置,其特征在于,
该基板处理装置包括:
搬入搬出站,其相对于盒体进行基板的搬入和搬出;
处理站,其形成多层且在各层具有多个单位处理块,该单位处理块至少包括对基板实施处理的多个处理单元和向所述处理单元进行基板的输送的基板输送装置;
基板交接部,其在所述搬入搬出站与处理站之间进行基板的交接;以及
权利要求1所述的基板交接机构,
位于多层设置的所述单位处理块的上层的所述基板输送装置,利用所述基板交接机构进行基板的搬入和搬出。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置,其特征在于,
所述处理站至少包括三层,所述基板交接机构至少具有2组,各基板交接机构分别与中层的单位处理块和上层的单位处理块的高度位置对应设置,并且,各基板交接机构中升降机构相对设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造