[实用新型]一种晶体管模块及其半导体模块和电压变换电路

权利要求书

1.一种晶体管模块，其特征在于包括：

第一晶体管，具有第一端、第二端和控制端；以及

启动电路，包括第二晶体管，第二晶体管具有第一端、第二端和控制端，其中第一晶体管的第一端耦接第二晶体管的第一端，第一晶体管的第二端耦接第二晶体管的控制端，第二晶体管的第二端耦接启动电路的输出端。

2.如权利要求1所述的晶体管模块，其特征在于，第一晶体管构成开关电路的功率开关的全部或一部分。

3.如权利要求1所述的晶体管模块，其特征在于，晶体管模块制作在同一半导体基底上形成一半导体晶片，半导体晶片具有四个管脚，其中第一管脚耦接第一晶体管的第一端和第二晶体管的第一端，第二管脚耦接第一晶体管的第二端和第二晶体管的控制端，第三管脚耦接第一晶体管的控制端，第四管脚耦接第二晶体管的第二端。

4.如权利要求1所述的晶体管模块，其特征在于，第一晶体管包括增强型金属氧化物半导体场效应管MOSFET管，第二晶体管包括耗尽型MOSFET管，第一晶体管的漏极耦接第二晶体管的漏极，第二晶体管的栅极耦接第一晶体管的源极。

5.如权利要求1所述的晶体管模块，其特征在于，晶体管模块有且仅具有漏极管脚、源极管脚、启动管脚和控制管脚，其中漏极管脚耦接第一晶体管的电压上位端，源极管脚耦接第一晶体管的电压下位端，启动管脚耦接启动电路的输出端，控制管脚耦接第一晶体管的控制端。

6.如权利要求1所述的晶体管模块，其特征在于，晶体管模块进一步包括第三晶体管，其中第三晶体管具有第一端、第二端和控制端，第三晶体管的控制端耦接第一晶体管的控制端，第三晶体管的第一端耦接第一晶体管的第一端，第三晶体管的第二端通过电阻耦接第一晶体管的第二端，第三晶体管的第二端耦接控制电路的电流检测端。

7.如权利要求6所述的晶体管模块，其特征在于，晶体管模块有且仅具有漏极管脚、源极管脚、启动管脚、控制管脚和检测管脚，其中漏极管脚耦接第一晶体管的第一端和第二晶体管的第一端，源极管脚耦接第二晶体管的第二端，启动管脚耦接控制电路的启动供电端，控制管脚耦接控制电路的控制输出端，检测管脚耦接控制电路的电流检测端。

8.一种半导体模块，包括启动电路和功率晶体管，其特征在于，半导体模块具有：

第一端口，耦接功率晶体管的电压上位端；

第二端口，耦接功率晶体管的电压下位端；

第三端口，耦接功率晶体管的控制端；以及

第四端口，耦接启动电路的输出端，当第四端口与第二端口的电压差小于第一阈值时，第一端口和第四端口间的阻抗小于第三阻值，当第四端口和第二端口间的电压差大于第二阈值时，第一端口和第四端口间的阻抗大于第四阻值，其中第一阈值小于第二阈值，第三阻值小于第四阻值。

9.一种电压变换电路，其特征在于包括如权利要求1-7任一项所述的晶体管模块或如权利要求8所述的半导体模块以及控制电路，控制电路具有耦接晶体管模块或半导体模块的启动供电端和控制输出端，其中启动供电端耦接启动电路的输出端，控制输出端耦接功率晶体管的控制端。

10.如权利要求9所述的电压变换电路，其特征在于，电压变换电路进一步包括：

原边绕组，耦接晶体管模块或半导体模块；

副边绕组，耦接副边整流管；

辅助绕组；以及

电容，耦接辅助绕组和控制电路。