[实用新型]一种集成MRAM的固态硬盘控制芯片有效

专利信息
申请号: 201921674234.9 申请日: 2019-10-09
公开(公告)号: CN210489601U 公开(公告)日: 2020-05-08
发明(设计)人: 刘学伟;陈建荣;马赞 申请(专利权)人: 深圳市新汉科技有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/373
代理公司: 深圳市凯达知识产权事务所 44256 代理人: 王琦
地址: 518000 广东省深圳市前海深港合作区前*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 集成 mram 固态 硬盘 控制 芯片
【说明书】:

实用新型公开了一种集成MRAM的固态硬盘控制芯片,包括芯片壳体,所述芯片壳体的一侧固定连接有引脚,所述引脚的一端固定连接有焊脚,所述芯片壳体的上部设有散热装置,所述焊脚的上表面开设有通孔,所述散热装置包括有导热铜片、铜管和铜柱,所述铜管的一端固定安装于芯片壳体的顶部,所述铜柱的一端固定安装于导热铜片的底部,所述铜柱的另一端位于铜管的内部固定连接有限位片,所述铜管的内部设有弹簧,所述铜管的端口与铜柱之间设有防尘橡胶圈,所述导热铜片的厚度为芯片壳体的一半。本实用新型所述的一种集成MRAM的固态硬盘控制芯片,能够增加散热效果,增加控制芯片的使用寿命,并且也提高能够焊接的稳定性,实用性更高。

技术领域

本实用新型涉及控制芯片领域,特别涉及一种集成MRAM的固态硬盘控制芯片。

背景技术

集成MRAM的固态硬盘控制芯片是一种用于在集成MRAM固定硬盘内部使用的控制芯片,集成MRAM固态硬盘是一种非易失性的磁性随机存储器,它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入,芯片就是集成电路,将电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜集成电路,另有一种厚膜集成电路是由独立半导体设备和被动组件,集成到衬底或线路板所构成的小型化电路,控制芯片属于集成MRAM固态硬盘内部的主控晶片,其主要功能类似于电脑的CPU,充当大脑的形式存在;但现有的集成MRAM的固态硬盘控制芯片不具备散热功能,传统的控制芯片与固态硬盘的外壳是不接触的,只能够通过自然降温,散热能力非常差,在工作时会产生较高的温度,容易对控制芯片造成高温,从而影响控制芯片的使用寿命,不利于使用,其次焊接容易出现脱落的现象,稳定性较差。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于提供一种集成MRAM的固态硬盘控制芯片,可以有效解决背景技术中的不具备散热效果和稳定性较差的问题。

为实现上述目的,本实用新型采取的技术方案为:

一种集成MRAM的固态硬盘控制芯片,包括芯片壳体,所述芯片壳体的一侧固定连接有引脚,所述引脚的一端固定连接有焊脚,所述芯片壳体的上部设有散热装置,所述焊脚的上表面开设有通孔。

优选的,所述散热装置包括有导热铜片、铜管和铜柱,所述铜管的一端固定安装于芯片壳体的顶部,所述铜柱的一端固定安装于导热铜片的底部。

优选的,所述铜柱的另一端位于铜管的内部固定连接有限位片,所述铜管的内部设有弹簧。

优选的,所述铜管的端口与铜柱之间设有防尘橡胶圈,所述导热铜片的厚度为芯片壳体的一半。

优选的,所述芯片壳体的四角位置均设有缺口,所述芯片壳体的四周均设有引脚。

与现有技术相比,本实用新型具有如下有益效果:本实用新型中,通过设置的散热装置,散热装置通过导热铜片、铜管以及铜柱组成,铜属于导热性能非常优异的金属材质,传统的控制芯片与固态硬盘的外壳是不接触的,热量散发非常慢,将导热铜片通过铜管和铜柱与固态硬盘的外壳接触,能够增加导热性能,提高散热效果,提高控制芯片的使用寿命,实用性更高,并且铜管的内部设有弹簧,能够适应固态硬盘外壳与导热铜片之间的距离,不影响使用,通过设置的通孔,将焊脚上开设一个通孔,人们在上锡时,能够增加锡与焊脚的接触面积,提高焊接稳定性,提高了整个集成MRAM的固态硬盘控制芯片的使用效果。

附图说明

图1为本实用新型一种集成MRAM的固态硬盘控制芯片的整体结构示意图;

图2为本实用新型一种集成MRAM的固态硬盘控制芯片的铜管和铜柱的连接结构示意图;

图3为本实用新型一种集成MRAM的固态硬盘控制芯片的俯视图;

图4为本实用新型一种集成MRAM的固态硬盘控制芯片的图3中A的放大图。

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