[实用新型]一种衰减片有效
| 申请号: | 201921672711.8 | 申请日: | 2019-09-30 | 
| 公开(公告)号: | CN210272619U | 公开(公告)日: | 2020-04-07 | 
| 发明(设计)人: | 李添龙;顾亚 | 申请(专利权)人: | 深圳市禹龙通电子有限公司 | 
| 主分类号: | H01P1/22 | 分类号: | H01P1/22 | 
| 代理公司: | 深圳冀深知识产权代理有限公司 44597 | 代理人: | 赵宝琴 | 
| 地址: | 518000 广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 衰减 | ||
1.一种衰减片,其特征在于,包括:
绝缘基板,设置于所述绝缘基板的背面的用于接地的背导层,以及设置于所述绝缘基板的正面的第一电阻、第二电阻、第三电阻和导线;所述第一电阻、所述第二电阻以及所述第三电阻经所述导线电连接形成π型衰减电路;
所述第一电阻设置于所述绝缘基板的正面的右上方,所述第三电阻设置于所述绝缘基板的正面的右下方,所述第二电阻设置于所述第一电阻与所述第三电阻的左侧,且所述第二电阻的面积大于所述第一电阻,所述第一电阻的面积大于所述第三电阻;
其中,所述第一电阻、所述第二电阻以及所述第三电阻呈矩形片状,所述第一电阻的上端与所述第二电阻的右端经所述导线电连接,所述第一电阻的下端与所述第三电阻的左端经所述导线电连接,所述第二电阻的左端和所述第三电阻的右端分别用于接地;且所述第一电阻的上端与所述第二电阻的右端的连接处作为所述π型衰减电路的输入端,所述第一电阻的下端与所述第三电阻的左端的连接处作为所述π型衰减电路的输出端。
2.如权利要求1所述的衰减片,其特征在于,所述第二电阻的下端的长度(L1)大于所述第一电阻的下端的长度(L2),所述第二电阻的左端的长度(L3)大于所述第一电阻的左端的长度(L4)。
3.如权利要求1所述的衰减片,其特征在于,所述衰减片还包括设置于所述绝缘基板的正面的输入焊盘与输出焊盘,所述π型衰减电路的输入端与输出端分别与所述输入焊盘和所述输出焊盘电连接。
4.如权利要求3所述的衰减片,其特征在于,所述衰减片还包括设置于所述绝缘基板的正面左右两端的导体,所述导体与所述背导层电连接,且所述第二电阻的左端与所述绝缘基板的正面左端的导体电连接,所述第三电阻的右端与所述绝缘基板的正面右端的导体电连接。
5.如权利要求4所述的衰减片,其特征在于,所述衰减片还包括设置于所述第一电阻、所述第二电阻以及所述第三电阻上的玻璃保护膜。
6.如权利要求5所述的衰减片,其特征在于,所述衰减片还包括设置于所述导线以及所述玻璃保护膜的上表面的黑色保护膜。
7.如权利要求6所述的衰减片,其特征在于,所述导线为设置于所述绝缘基板的正面的金质件或银质件,所述导线的厚度为8-12微米。
8.如权利要求7所述的衰减片,其特征在于,所述第一电阻、所述第二电阻和所述第三电阻为设置于所述绝缘基板的正面的厚度为10-12微米的氧化钌电阻层。
9.如权利要求6所述的衰减片,其特征在于,所述黑色保护膜为环氧胶。
10.如权利要求1至9任一项所述的衰减片,其特征在于,所述绝缘基板为氮化铝陶瓷基板。
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