[实用新型]半导体材料制备装置

权利要求书

1.一种半导体材料制备装置，其特征在于，所述半导体材料制备装置包括：预处理单元、生长单元、传送单元；

所述预处理单元包括内部提供预处理空间的第一腔室，所述第一腔室中设置有预处理机构，所述预处理机构通过刻蚀、腐蚀、热分解、机械化学抛光中一种方式或几种方式的结合对基底表面进行预处理，所述生长单元包括内部提供生长空间的第二腔室，所述传送单元包括：通道、设置于所述通道中的传送机构，所述通道连通所述第一腔室和第二腔室，且第一、二腔室及二者之间的通道与外部隔绝，所述传送机构一端延伸至所述第一腔室中，另一端延伸至第二腔室中。

2.根据权利要求1所述的半导体材料制备装置，其特征在于，所述刻蚀的方式包括如下一种或几种：等离子体刻蚀、电感耦合等离子体刻蚀、反应离子刻蚀、离子束刻蚀。

3.根据权利要求1或2所述的半导体材料制备装置，其特征在于，所述预处理单元为刻蚀机、腐蚀机、热分解机、机械化学抛光机中的一种或几种。

4.根据权利要求1所述的半导体材料制备装置，其特征在于，所述生长单元为MOCVD、MBE、HVPE、PVT、氨热设备、Na flux设备中的一种。

5.根据权利要求1所述的半导体材料制备装置，其特征在于，所述第一腔室、通道、第二腔室中为真空或者不活泼气体氛围。

6.根据权利要求5所述的半导体材料制备装置，其特征在于，所述传送机构包括：工作台、驱动所述工作台在所述第一腔室和第二腔室中进行往复运动的直线电机。

7.根据权利要求1所述的半导体材料制备装置，其特征在于，所述预处理机构单元适于氮化镓单晶基底、氮化镓复合基底、异质基底的预处理。

8.根据权利要求1所述的半导体材料制备装置，其特征在于，所述生长单元适于III-V族半导体材料的外延生长，所述III-V族半导体材料为III族元素与V族元素按比例组成的二元、三元或四元半导体材料。