[实用新型]一种复合可控硅电路有效
| 申请号： | 201921669513.6 | 申请日： | 2019-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN210274017U | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 杜照涢 | 申请（专利权）人： | 杜照涢 |
| 主分类号： | H03K17/73 | 分类号： | H03K17/73;H05B47/10 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 席卷 |
| 地址： | 215021 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 复合 可控硅 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种复合可控硅电路，包含一第一可控硅(T1)，所述的第一可控硅(T1)包含一第一主电极(T1-A1)、一第一副电极(T1-A2)和一第一门极(G1)，其特征在于，所述的第一可控硅(T1)的下游设有一第二可控硅(T2)，所述的第二可控硅(T2)包含一第二主电极(T2-A1)和一第二副电极(T2-A2)，所述的第二主电极(T2-A1)与所述的第一主电极(T1-A1)相连接，所述的第二副电极(T2-A2)通过一电阻(R1)与所述的第一门极(G1)相连接。
2.根据权利要求1所述的复合可控硅电路，其特征在于，所述的电阻(R1)为正温度系数电阻PTC。
3.根据权利要求1或2所述的复合可控硅电路，其特征在于，所述的第一可控硅(T1)的门极触发电流为50-100mA，所述的第二可控硅(T2)的门极触发电流小于5mA。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杜照涢，未经杜照涢许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201921669513.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于物联网电表的NB-IOT无线控制系统
- 下一篇：一种防过充手机充电器
