[实用新型]一种抗电磁干扰的脑电帽有效

专利信息
申请号: 201921665107.2 申请日: 2019-09-30
公开(公告)号: CN211381339U 公开(公告)日: 2020-09-01
发明(设计)人: 陈禹函;焦迪恺;王铮 申请(专利权)人: 脑云(常州)医疗科技有限公司
主分类号: A61B5/0476 分类号: A61B5/0476;A61B5/0478;A61B5/00;H01B7/02;H01B7/18;H01B7/17;H01B3/44;H01B3/28
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 213001 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 电磁 干扰 脑电帽
【权利要求书】:

1.一种抗电磁干扰的脑电帽,其特征在于,包括:

帽体,采用医疗用品橡胶带制成的网状帽子,拉力分布平衡,穿戴方便快捷;

盘状电极,电极的定位位置是根据大量临床病理实例得到的所需测量的头部穴位,盘状电极由铜镀氯化银制成,电势稳定,传导性好,信号稳定,盘状电极中部设有空腔,与皮肤接触面积小,可以降低长时间的脑电信号检测与采集过程给人带来的压迫感和皮肤刺痛感;

抗电磁干扰的导线,穿过脑电帽上的固定孔连接盘状电极,导线被一种新型屏蔽保护套包裹,可以有效地降低来自外部环境的电磁信号等的干扰,信号传递更稳定。

2.根据权利要求1所述的一种抗电磁干扰的脑电帽,其特征是帽体设计采用根据人体工学建立的三维头部模型,在研究了大量临床病理实例的基础上,按国际10-20系统中F3、F4、C3、C4、P3、P4、01、02电极位设计标准将21个盘状电极置于精确检测脑电波所需检测的穴位上。

3.根据权利要求1所述的一种抗电磁干扰的脑电帽,其特征是导线的屏蔽保护套由保护层,缓冲层,绝缘层,屏蔽层通过压合工艺制成。

4.根据权利要求1所述的一种抗电磁干扰的脑电帽,其特征是导线的屏蔽保护套的绝缘层采用聚氯乙烯的混合材料,缓冲层采用TEP橡胶材料,屏蔽层采用铜和铝的双层结构。

5.根据权利要求1所述的一种抗电磁干扰的脑电帽,其特征是屏蔽保护套的绝缘层,缓冲层和屏蔽层之间均通过抽真空方式进行处理。

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