[实用新型]晶圆加工装置有效
申请号: | 201921658167.1 | 申请日: | 2019-09-30 |
公开(公告)号: | CN210378983U | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 刘军 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/311 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 别亮亮 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加工 装置 | ||
1.一种晶圆加工装置,其特征在于,包括:
制程腔室,所述制程腔室用于放置晶圆;
反应溶液提供机构,所述反应溶液提供机构用于将反应溶液输送到所述晶圆的待加工处理面上;
加热机构,所述加热机构用于对所述待加工处理面上的反应溶液进行加热处理。
2.根据权利要求1所述的晶圆加工装置,其特征在于,还包括设置于所述制程腔室内的旋转机构,所述旋转机构用于放置并驱动所述晶圆旋转,所述反应溶液提供机构用于将所述反应溶液输送到所述晶圆的待加工处理面的中部部位。
3.根据权利要求2所述的晶圆加工装置,其特征在于,所述加热机构包括设置于所述晶圆上方的条状载体,以及沿着所述条状载体依次间隔设置的若干个加热灯;或者,
所述加热机构包括设置于所述晶圆上方的板状载体,以及若干个加热灯,所述加热灯呈阵列式布置于所述板状载体上。
4.根据权利要求3所述的晶圆加工装置,其特征在于,所述反应溶液提供机构包括第一喷嘴、反应溶液供给源及第一管路,所述第一喷嘴装设于所述加热机构上,所述反应溶液供给源通过所述第一管路与所述第一喷嘴相连。
5.根据权利要求3所述的晶圆加工装置,其特征在于,所述制程腔室内还设有升降机构,所述升降机构与所述加热机构相连,所述升降机构用于驱动所述加热机构升降移动。
6.根据权利要求2所述的晶圆加工装置,其特征在于,所述加热机构包括设置于所述晶圆下方的板状载体,以及若干个加热灯,所述加热灯呈阵列式布置于所述板状载体上,所述板状载体设置于所述旋转机构上。
7.根据权利要求2所述的晶圆加工装置,其特征在于,还包括控制器,所述控制器分别与所述旋转机构、所述反应溶液提供机构、所述加热机构电性连接。
8.根据权利要求2所述的晶圆加工装置,其特征在于,还包括设置于所述制程腔室内的隔挡件,所述隔挡件绕设于所述旋转机构的周向外围。
9.根据权利要求8所述的晶圆加工装置,其特征在于,所述反应溶液提供机构包括第一喷嘴、反应溶液供给源及第一管路;所述第一喷嘴装设于所述隔挡件上,并对着所述旋转机构上的晶圆的待加工处理面;所述反应溶液供给源通过所述第一管路与所述第一喷嘴相连。
10.根据权利要求4或9所述的晶圆加工装置,其特征在于,还包括第一清洗液提供机构与第二清洗液提供机构,所述第一清洗液提供机构包括第二喷嘴、超纯水供给源及第二管路,所述超纯水供给源通过所述第二管路与所述第二喷嘴相连,所述第二喷嘴面向所述晶圆的待加工处理面;所述第二清洗液提供机构包括第三喷嘴、异丙醇供给源及第三管路,所述异丙醇供给源通过所述第三管路与所述第三喷嘴相连,所述第三喷嘴面向所述晶圆的待加工处理面;所述第一喷嘴、所述第二喷嘴及所述第三喷嘴均设置于加热机构上或隔挡件上;所述制程腔室的底壁上还设有废液开口。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造