[实用新型]具有止裂线路的芯片以及测试芯片裂痕的装置有效
申请号: | 201921654386.2 | 申请日: | 2019-09-29 |
公开(公告)号: | CN210272264U | 公开(公告)日: | 2020-04-07 |
发明(设计)人: | 张志伟 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/78 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤 |
地址: | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 线路 芯片 以及 测试 裂痕 装置 | ||
该实用新型涉及一种具有止裂线路的芯片以及测试芯片裂痕的装置,能够避免浪费加工已经毁损或者有毁损可能的芯片时所用的生产资源,提高最终出产的芯片的良率。其中具有止裂线路的芯片的止裂线路具有导电性,设置于所述芯片上表面,将所述芯片上表面的第一预设区域包围在内,且所述止裂线路具有首端和尾端,所述首端和尾端不导通。
技术领域
本实用新型涉及晶圆生产加工领域,具体涉及一种具有止裂线路的芯片以及测试芯片裂痕的装置。
背景技术
划片工序是将集成电路整片晶圆通过切割设备分割成单个芯粒的工艺过程,是集成电路制造过程中整个晶圆操作的最后一道工序。由于划片工序是一种机械切削过程,而晶圆是由硅、砷化镓等半导体材料制作而成的晶体圆片,是一种脆性材料,脆性高,断裂韧性低,因此,在划片工序的机械切削过程中,由于机械力是直接作用到晶圆表面的,晶圆表面会产生负载现象,当晶圆表面的负载超过弹性极限时,很容易在切割位置附近产生崩裂。一旦出现崩裂,将会造成芯片的报废,造成整个制造过程的失效。
随着小型化和高集成度方向发展,芯片尺寸减小,切割槽宽度变窄,芯片厚度越来越薄,划片工艺引起晶圆崩裂而造成整个制程失败的风险也越来越大。
请参阅图1,现有技术中,通常采用切割刃101来切割晶圆,获取单颗的芯片100。现有技术中,还在晶圆表面设置环绕芯片100上的电路功能区103的止裂线路102,来防止在切割晶圆获取芯片100的过程中,出现蔓延到所述芯片100上的电路功能区103的裂痕。然而,止裂线路102的止裂能力有限,即使设置了该止裂线路102,也很有可能出现芯粒的电路功能区103毁损的情形。这时,通常无法将该已经毁损或者有毁损可能的芯片100挑出来,这将浪费后续加工该已经毁损或者有毁损可能的芯片100所用的生产资源,影响最终出产的芯片的良率。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种具有止裂线路的芯片以及测试芯片裂痕的装置,能够避免浪费加工已经毁损或者有毁损可能的芯片时所用的生产资源,提高最终出产的芯片的良率。
为了解决上述技术问题,以下提供了一种具有止裂线路的芯片,所述止裂线路具有导电性,设置于所述芯片上表面,将所述芯片上表面的第一预设区域包围在内,且所述止裂线路具有首端和尾端,所述首端和尾端不导通。
可选的,所述第一预设区域外围至少具有一圈止裂线路,且所述第一预设区域的至少一侧有重叠排布的所述止裂线路,且所述重叠排布的所述止裂线路相互之间也不导通。
可选的,所述止裂线路围成第二预设区域和第三预设区域,所述第三预设区域沿所述第二预设区域外围设置,并与所述第二预设区域连通,由所述第二预设区域将所述第一预设区域包围在内。
可选的,还包括至少2个导电测试垫,设置在所述芯片表面的不同位置,并连接到所述止裂线路。
可选的,所述止裂线路由导电材料制成,所述导电材料包括多晶硅、钨、铜以及铝中的至少一种。
可选的,所述止裂线路与所述第一预设区域之间无接触。
为了解决上述技术问题,以下还提供了一种测试芯片裂痕的装置,包括:所述的芯片;电源,连接于所述止裂线路的任意两点之间,形成闭合回路。
可选的,还包括:负载电阻,连接到所述闭合回路上。
可选的,还包括:电流表,连接到所述闭合回路上。
可选的,还包括:灯泡,连接到所述闭合回路上,用于供用户通过所述灯泡的亮灭情况判断所述闭合回路的开闭状态,以及所述止裂线路的短路状态。
本实用新型的具有止裂线路的芯片以及测试芯片裂痕的装置具有能够导电的止裂线路,并且能够利用该止裂线路的导电性检测该芯片是否有经过所述止裂线路的裂痕,因此可以有效减少对生产资源的浪费,以及提高最终出产的芯片的良率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造