[实用新型]反熔丝存储单元电路及阵列电路

权利要求书

1.一种反熔丝存储单元电路，其特征在于，包括：

反熔丝器件；

开关模块，耦接于所述反熔丝器件；

选择模块，耦接于所述开关模块；

控制模块，分别耦接于所述反熔丝器件和所述开关模块；

其中，所述控制模块用于根据所述反熔丝器件的击穿状态，切换所述开关模块的通断模式。

2.如权利要求1所述的反熔丝存储单元电路，其特征在于，所述反熔丝器件具有第一端和第二端，

所述开关模块包括第一开关单元和第二开关单元，所述第一开关单元及所述第二开关单元均具有第一端、第二端和控制端，且所述控制端均耦接于所述控制模块，所述第二端均耦接于选择模块，所述第一开关单元的第一端耦接于所述反熔丝器件的第一端，所述第二开关单元的第一端耦接于所述反熔丝器件的第二端。

3.如权利要求2所述的反熔丝存储单元电路，其特征在于，所述开关模块还包括第三开关单元，所述第三开关单元具有第一端、第二端及控制端，所述第三开关单元的第一端耦接于所述反熔丝器件的第一端，所述第三开关单元的第二端耦接于接地信号，所述第三开关单元的控制端耦接于所述控制模块。

4.如权利要求2所述的反熔丝存储单元电路，其特征在于，所述选择模块包括位线选择单元和字线选择单元，所述位线选择单元和所述字线选择单元均具有第一端、第二端和控制端，所述位线选择单元的控制端耦接于位线，所述位线选择单元的第一端耦接于所述第二开关单元的第二端，所述位线选择单元的第二端耦接于接地信号，所述字线选择单元的控制端耦接于字线，所述字线选择单元的第一端耦接于所述第一开关单元的第二端，所述字线选择单元的第二端耦接于电源信号。

5.如权利要求4所述的反熔丝存储单元电路，其特征在于，所述反熔丝存储单元电路还包括电流提供模块，具有第一端和第二端，所述电流提供模块的第一端耦接于电源信号，第二端耦接于所述字线选择单元的第二端。

6.如权利要求1所述的反熔丝存储单元电路，其特征在于，所述控制模块包括控制单元，所述控制单元具有输入端及输出端，所述输入端耦接于所述反熔丝器件的第一端、写使能信号、读使能信号、读使能延迟信号，所述输出端耦接于所述开关模块。

7.如权利要求6所述的反熔丝存储单元电路，其特征在于，所述控制模块还包括放大单元，所述放大单元具有输入端及输出端，所述输入端耦接于所述反熔丝器件的第一端，所述输出端耦接于所述控制单元的输入端，所述放大单元用于将所述反熔丝器件第一端的信号放大。

8.如权利要求6所述的反熔丝存储单元电路，其特征在于，所述控制模块还包括延时单元，所述延时单元具有输入端及输出端，所述读使能信号还耦接于所述延时单元的输入端，所述延时单元的输出端耦接于所述控制单元，所述延时单元用于对读使能信号进行延迟。

9.一种反熔丝存储阵列电路，其特征在于，包括多个如权利要求1～8任意一项所述的反熔丝存储单元电路。

10.如权利要求9所述的反熔丝存储阵列电路，其特征在于，所述反熔丝存储单元的控制模块集成为一总控制模块。

11.如权利要求10所述的反熔丝存储阵列电路，其特征在于，所述总控制模块的输入端耦接于写使能信号、读使能信号、读使能延迟信号及每一所述反熔丝器件的第一端。

12.如权利要求10所述的反熔丝存储阵列电路，其特征在于，所述总控制模块的输出端输出一控制信号，所述控制信号耦接于所述反熔丝存储单元的第三开关单元。

13.如权利要求9所述的反熔丝存储阵列电路，其特征在于，至少部分所述反熔丝存储单元电路共用电流提供模块。

14.如权利要求9所述的反熔丝存储阵列电路，其特征在于，至少部分所述反熔丝存储单元电路共用字线选择单元。