[实用新型]一种具有多个结的半导体基核电池有效
| 申请号： | 201921642308.0 | 申请日： | 2019-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN211455324U | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 韩天宇;张玲玲 | 申请（专利权）人： | 无锡华普微电子有限公司 |
| 主分类号： | G21H1/06 | 分类号： | G21H1/06 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 殷红梅 |
| 地址： | 214135 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 多个结 半导体 核电 | ||
1.一种具有多个结的半导体基核电池，其特征在于，所述具有多个结的半导体基核电池包括：N型半导体衬底层（100），在所述N型半导体衬底层（100）的上表面从下至上依次设有第一N型半导体层（110）、第二N型半导体层（120）、半导体本征层（130）、第三N型半导体层（140）、第四N型半导体层（150）和P型半导体层（160）；
所述P型半导体层（160）的周围和第二N型半导体层的上表面之间设有钝化保护层（200），所述P型半导体层（160）上设有阳极金属层（300），所述阳极金属层（300）、P型半导体层（160）和钝化保护层（200）上设有放射性同位素层（500），所述阳极金属层（300）和P型半导体层（160）之间欧姆接触；
所述N型半导体衬底层（100）的下表面上设有阴极金属层（400），所述阴极金属层（400）与N型半导体衬底层（100）之间欧姆接触。
2.如权利要求1所述的具有多个结的半导体基核电池，其特征在于，所述第一N型半导体层包括从下至上设置的：第一掺杂浓度N型半导体层和第二掺杂浓度N型半导体层；
所述第二N型半导体层包括从下至上设置的：第三掺杂浓度N型半导体层和第四掺杂浓度N型半导体层。
3.如权利要求1所述的具有多个结的半导体基核电池，其特征在于，所述P型半导体层（160）的厚度为0.2μm～0.5μm。
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