[实用新型]一种半导体装置

说明书

本实用新型涉及一种半导体装置。在各实施例中，一种半导体装置包括半导体衬底，所述半导体衬底包括第一表面和相对于所述第一表面的第二表面；钝化层(passivation layer)，其位于所述半导体衬底的所述第一表面上；其特征在于，所述半导体装置还包括：第一导体杯状结构(conductive cup structure)，其位于所述钝化层上；及势垒层(barrier layer)，其位于所述第一导体杯状结构中。

技术领域

本揭露大体上涉及半导体装置，尤其涉及具有经强化(reinforced)连接结构的半导体装置。

背景技术

半导体装置需要连接结构以提供对外的连接(external connection)。但是在制造过程中，某些工艺可能破坏或损害(damage)连接结构，进而影响半导体装置的运作(work)或可靠性(reliability)。

实用新型内容

本公开的一些实施例提供一种半导体装置，其包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一表面和相对于所述第一表面的第二表面；钝化层(passivation layer)，其位于所述半导体衬底的所述第一表面上；其特征在于，所述半导体装置还包括：第一导体杯状结构(conductive cup structure)，其位于所述钝化层上；及势垒层(barrier layer)，其位于所述第一导体杯状结构中。

本实用新型的一实施例提供一种半导体装置，其中所述势垒层和所述第一导体杯状结构直接接触。

本实用新型的一实施例提供一种半导体装置，其进一步包括第一导体层(firstconductive layer)，所述第一导体层位于所述势垒层上，其中所述第一导体层和所述第一导体杯状结构直接接触。

本实用新型的一实施例提供一种半导体装置，其进一步包括第二导体杯状结构，所述第二导体杯状结构位于所述钝化层和所述第一导体杯状结构之间。

本实用新型的一实施例提供一种半导体装置，其中所述第二导体杯状结构和所述第一导体杯状结构直接接触。

本实用新型的一实施例提供一种半导体装置，其中所述第一导体杯状结构具有毛边 (burr)。

本实用新型的一实施例提供一种半导体装置，其中所述第二导体杯状结构具有毛边 (burr)。

本实用新型的一实施例提供一种半导体装置，其中所述第一导体层具有金属间化合物(intermetallic compound(IMC))结构。

本实用新型的一实施例提供一种半导体装置，其中所述金属间化合物结构定义孔(hole)。

本实用新型的一实施例提供一种半导体装置，其中所述金属间化合物结构定义多个孔隙(pores)。

本实用新型的一实施例提供一种半导体装置，其中所述第一导体层具有上表面(upper surface)，且所述上表面具有平滑(smooth)部分以及粗糙(rough)部分。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下具体实施方式容易理解本公开的各方面。应注意，各个特征可以不按比例绘制。实际上，为了论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1所示为根据本案的某些实施例的半导体装置的剖面图(cross-sectionalview)；

图2所示为根据本案的某些实施例的半导体装置的剖面图；

图2A所示为图2中虚线框A内结构的放大图(enlarged view)；

图2B所示为图2中虚线框B内结构的放大图；

图3所示为根据本案的某些实施例的半导体装置的剖面图；