[实用新型]一种量子阱层结构及半导体激光器有效
| 申请号： | 201921620111.7 | 申请日： | 2019-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN211088742U | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 颜建;黄勇;胡双元 | 申请（专利权）人： | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 李博洋 |
| 地址： | 215614 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 量子 结构 半导体激光器 | ||
1.一种量子阱层结构，其特征在于，包括：
第一混合层及第二混合层，按照第二混合层、第一混合层、第二混合层的顺序层叠设置，其中，
所述第一混合层的材料为InAlGaAs；所述第二混合层的材料为AlGaAs。
2.根据权利要求1所述的量子阱层结构，其特征在于，所述第一混合层的能带宽度与第二混合层的能带宽度相等。
3.根据权利要求1所述的量子阱层结构，其特征在于，所述第一混合层的厚度与第二混合层的厚度之和为一固定值。
4.一种半导体激光器，其特征在于，包括：
依次层叠设置的衬底、第二欧姆接触层、第二过渡层、第二限制层、第二波导层、量子阱层结构、第一波导层、第一限制层、第一过渡层和第一欧姆接触层；其中，所述量子阱层结构为如权利要求1-3任一项所述的量子阱层结构。
5.根据权利要求4所述的半导体激光器，其特征在于，所述第一限制层、所述第一过渡层、所述第一欧姆接触层为P型掺杂，所述第二限制层、所述第二过渡层、所述第二欧姆接触层、所述衬底为N型掺杂。
6.根据权利要求4所述的半导体激光器，其特征在于，所述衬底的材质为GaAs。
7.根据权利要求4所述的半导体激光器，其特征在于，所述第一欧姆接触层和第二欧姆接触层的材质为GaAs。
8.根据权利要求4所述的半导体激光器，其特征在于，所述第一限制层和第二限制层的材质为AlGaAs或AlGaInP。
9.根据权利要求4所述的半导体激光器，其特征在于，所述第一波导层和第二波导层的材质为AlGaAs或GaInP。
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