[实用新型]一种立体结构芯片定位植锡钢网有效
申请号: | 201921600545.0 | 申请日: | 2019-09-25 |
公开(公告)号: | CN210516671U | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 甘建永 | 申请(专利权)人: | 深圳市沃威斯电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/60;H01L21/68 |
代理公司: | 深圳市鼎浩知识产权代理有限公司 44544 | 代理人: | 张炬杰 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 立体 结构 芯片 定位 植锡钢网 | ||
本实用新型公开了一种立体结构芯片定位植锡钢网,涉及到芯片定位结构技术领域,该立体结构芯片定位植锡钢网,包括植锡钢网主体,其特征在于:所述植锡钢网主体的顶部开设有多个芯片植锡网孔,所述植锡钢网主体的顶部固定连接有四个立体定位装置。本实用新型通过芯片大小设计立体定位装置,固定芯片位置,使芯片植锡过程中不偏移,提升维修人员的工作效率和植锡后的优良效果,同时,小面积的立体定位装置,在高温加热时,有效防止植锡钢网凹凸不平、鼓包以及锡点爆锡现象,大大提升了植锡钢网的使用生命周期,减低植锡钢网的报废率,设计结构合理,即使初级的维修人员也能轻松的使用,实用性强。
技术领域
本实用新型涉及芯片定位结构技术领域,特别涉及一种立体结构芯片定位植锡钢网。
背景技术
随着手机行业的迅速发展,手机芯片越来越精密,维修人员对维修工具要求就越来越高,需要更高的技术条件去满足用户的需求。
目前市场上现有的凹槽式植锡钢网,根据芯片的大小,在芯片植锡网孔四周,通过凹刻形式针对芯片定位植锡,从而保证在植锡过程中不偏移的效果,上述现有的凹槽式植锡钢网虽然可以满足定位植锡的需求,但依然存在不足之处。
由于现有技术的制作工艺,会有大面积厚度不一致的现象,芯片植锡部位厚度较薄,在使用高温加热植锡过程中,容易导致植锡钢网芯片植锡部位出现凹凸不平、鼓包和锡点爆锡现象,从而降低了植锡钢网的使用寿命,使植锡钢网报废率提高。
因此,发明一种立体结构芯片定位植锡钢网来解决上述问题很有必要。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种立体结构芯片定位植锡钢网,以解决上述背景技术中提出的会有大面积厚度不一致的现象,芯片植锡部位厚度较薄,在使用高温加热植锡过程中,容易导致植锡钢网芯片植锡部位出现凹凸不平、鼓包和锡点爆锡现象,从而降低了植锡钢网的使用寿命,使植锡钢网报废率提高的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种立体结构芯片定位植锡钢网,包括植锡钢网主体,其特征在于:所述植锡钢网主体的顶部开设有多个芯片植锡网孔,所述植锡钢网主体的顶部固定连接有四个立体定位装置。
可选的,多个所述芯片植锡网孔不规则排列;
四个所述立体定位装置位于芯片植锡网孔的四周。
本实用新型的技术效果和优点:
1、本实用新型通过芯片大小设计立体定位装置,固定芯片位置,使芯片植锡过程中不偏移,提升维修人员的工作效率和植锡后的优良效果,同时,小面积的立体定位装置,在高温加热时,有效防止植锡钢网凹凸不平、鼓包以及锡点爆锡现象,大大提升了植锡钢网的使用生命周期,减低植锡钢网的报废率,设计结构合理,即使初级的维修人员也能轻松的使用,实用性强。
附图说明
图1为本实用新型结构俯视示意图。
图2为本实用新型结构侧视示意图。
图中:1、植锡钢网主体;2、芯片植锡网孔;3、立体定位装置。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市沃威斯电子科技有限公司,未经深圳市沃威斯电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201921600545.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种具有双重保护结构的冷热一体机组
- 下一篇:一种大型轮胎扒胎器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造