[实用新型]一种烧球保护装置有效
申请号: | 201921581930.5 | 申请日: | 2019-09-20 |
公开(公告)号: | CN210325695U | 公开(公告)日: | 2020-04-14 |
发明(设计)人: | 林明武;马盼;张凯川;陈梓奇;张凯东 | 申请(专利权)人: | 深圳市盟科电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518107 广东省深圳市光明新区凤凰街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 保护装置 | ||
本实用新型涉及焊接的技术领域,特别是涉及一种烧球保护装置,其保护气体可将烧球包裹均匀,减少烧球的氧化,提高实用性;包括工作台、焊接台、两组第一连接管、环吹保护装置、劈刀、铜线、两组第二连接管、保护气瓶和出气管,工作台的底端对称设置有四组支撑腿,焊接台固定安装在工作台的顶端中部,焊接台的中部设置有U型槽,焊接台上U型槽的右侧和左侧的内部均设置有通气孔道,左侧通气孔道贯穿焊接台的左端和U型槽的左端,右侧通气孔道贯穿焊接台的右端和U型槽的右端,两组第一连接管的输入端分别与两组通气孔道的输出端连接,环吹保护装置的顶端中部设置有贯穿环吹保护装置顶端和底端的通孔。
技术领域
本实用新型涉及焊接的技术领域,特别是涉及一种烧球保护装置。
背景技术
在芯片焊接中需要用火焰将铜线端部烧出个小球,然后与芯片电极进行焊接,而在现有的铜线烧球过程中,使用排气管对准烧球直吹保护气体,使保护气体对烧球的包裹不均匀,烧球容易被氧化,实用性较差。
实用新型内容
为解决上述技术问题,本实用新型提供一种保护气体可将烧球包裹均匀,减少烧球的氧化,提高实用性的烧球保护装置。
本实用新型的一种烧球保护装置,包括工作台、焊接台、两组第一连接管、环吹保护装置、劈刀、铜线、两组第二连接管、保护气瓶和出气管,工作台的底端对称设置有四组支撑腿,焊接台固定安装在工作台的顶端中部,焊接台的中部设置有U型槽,焊接台上U型槽的右侧和左侧的内部均设置有通气孔道,左侧通气孔道贯穿焊接台的左端和U型槽的左端,右侧通气孔道贯穿焊接台的右端和U型槽的右端,两组第一连接管的输入端分别与两组通气孔道的输出端连接,环吹保护装置的顶端中部设置有贯穿环吹保护装置顶端和底端的通孔,环吹保护装置的通孔与环吹保护装置的圆周外壁之间设置有腔室,出气孔的通孔内壁上设置有多组出气孔,出气孔与环吹保护装置的腔室相通,环吹保护装置的左端和右端分别与两组第一连接管的输出端连接,且两组第一连接管的输出端均与环吹保护装置的腔室相通,铜线与劈刀的顶端连接,劈刀的底端位于环吹保护装置通孔中部的下方,连照顾第二连接管的输出端分别与两组通气孔道的输入端连接,保护气瓶的输出端与出气管的输入端连接,出气管的输出端分别与两组第二连接管的输入端连接。
本实用新型的一种烧球保护装置,环吹保护装置的顶端设置有上整流板,环吹保护装置的底端设置有下整流板。
本实用新型的一种烧球保护装置,还包括多组支撑柱,多组支撑柱的顶端均与环吹保护装置的底端连接,多组支撑柱的底端均与焊接台上U型槽的底端连接。
本实用新型的一种烧球保护装置,还包括两组阀门和两组第三连接管,每组第二连接管的输入端均与阀门的输出端连接,每组阀门的输入端均与第三连接管的输出端连接,两组第三连接管的输入端分别与出气管的输出端连接。
本实用新型的一种烧球保护装置,还包括四组螺杆,四组支撑腿的底端均设置有螺纹孔,四组螺杆的顶端分别螺装插入至四组支撑腿底端的螺纹孔内,四组螺杆的底端均设置有垫脚。
本实用新型的一种烧球保护装置,还包括后板和两组脚轮,后板的底端设置有底板,底板与后板之间的左右两端均设置有加强筋,后板的顶部设置有第一固定板,第一固定板的中部设置有固定保护气瓶的通孔,后板的底部设置有第二固定板,第二固定板的中部设置有固定保护气瓶的通孔,两组脚轮分别可转动安装在后板底部的左端和右端。
本实用新型的一种烧球保护装置,还包括把手,后板顶部的后端设置有两组安装板,把手的左端和右端分别固定安装在两组安装板之间。
本实用新型的一种烧球保护装置,四组垫脚均采用橡胶材质。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造