[实用新型]一种基于感应开关的敷贴传感器有效

专利信息
申请号: 201921578954.5 申请日: 2019-09-23
公开(公告)号: CN211122653U 公开(公告)日: 2020-07-28
发明(设计)人: 施广平 申请(专利权)人: 天津九安医疗电子股份有限公司
主分类号: G01N27/416 分类号: G01N27/416
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300190 天津市南开*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 感应 开关 敷贴 传感器
【权利要求书】:

1.一种基于感应开关的敷贴传感器,包括电源模块和传感器主体,所述传感器主体包括测量单元和微控制单元,所述的电源模块用于为传感器主体供电;所述测量单元与微控制单元连接,用于采集分析物数据,并将采集的分析物数据传输至所述微控制单元进行数字化和后续处理;其特征在于,还包括:电源开关单元、感应开关单元和电源锁定单元;

所述电源开关单元连接在所述电源模块与所述微控制单元之间,其导通时电源模块向所述传感器主体供电;

所述感应开关单元与所述电源开关单元连接,用于响应外界环境的变化而导通或截止,进而控制所述电源开关单元的通断;

所述微控制单元被配置为在接收到所述测量单元发送的分析物数据时生成导通状态锁定信号;

所述电源锁定单元连接在所述电源模块和所述微控制单元之间,用于响应微控制单元发出的导通状态锁定信号,将所述电源开关单元锁定为导通状态。

2.根据权利要求1所述的敷贴传感器,其特征在于,所述电源开关单元包括PMOS管Q1和电阻R1,所述PMOS管Q1的源极和电阻R1的一端连接所述电源模块的正极,所述PMOS管Q1的栅极和电阻R1的另一端均分别连接所述电源锁定单元和感应开关单元,所述PMOS管Q1的源极连接所述微控制单元。

3.根据权利要求1所述的敷贴传感器,其特征在于,所述感应开关单元包括一感应开关S1,所述感应开关S1的第一输出端连接所述电源开关单元,所述感应开关S1的第二输出端接地。

4.根据权利要求1所述的敷贴传感器,其特征在于,所述的电源锁定单元包括一NMOS管Q2,所述NMOS管Q2的漏极连接所述电源开关单元,所述NMOS管Q2的栅极连接所述微控制单元,所述NMOS管Q2的源极接地。

5.根据权利要求3所述的敷贴传感器,其特征在于,所述感应开关为磁控开关或光控开关。

6.根据权利要求5所述的敷贴传感器,其特征在于,所述磁控开关由基于混合信号CMOS技术的全极型霍尔效应传感器组成。

7.根据权利要求5所述的敷贴传感器,其特征在于,所述光控开关由基于光电效应并对光电流进行多级放大的模拟环境光传感器组成。

8.根据权利要求1所述的敷贴传感器,其特征在于,所述电源模块包括一次性电池。

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