[实用新型]一种用于MicroLED显示的巨量转移结构有效
申请号: | 201921567990.1 | 申请日: | 2019-09-19 |
公开(公告)号: | CN210296333U | 公开(公告)日: | 2020-04-10 |
发明(设计)人: | 李成明;许水珍;倪绿军;陈建;杨功寿;王琦;张国义 | 申请(专利权)人: | 北京大学东莞光电研究院 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/677;H01L21/673;H01L33/48 |
代理公司: | 东莞恒成知识产权代理事务所(普通合伙) 44412 | 代理人: | 邓燕 |
地址: | 523808 广东省东莞市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 microled 显示 巨量 转移 结构 | ||
本实用新型涉及显示技术领域,具体涉及一种用于MicroLED显示的巨量转移结构,包括基板和设于基板上的若干个用于容置发光二极管芯片的容置槽,容置槽匹配发光二极管芯片的大小设置,还包括送料装置,送料装置一端贴合基板设有容置槽的一面设置,送料装置设有送料轨道,送料轨道对应容置槽设置,送料装置贴合基板的一端,送料轨道与容置槽连通,送料装置未贴合基板的一端,设有防止来料掉落的挡板,本实用新型结构简单,设计合理,便于通过送料轨道,将巨量的发光二极管芯片送入容置槽。
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,特别是涉及一种用于MicroLED显示的巨量转移结构。
背景技术
随着发光二极管(Light Emitting Diode,LED)的发展,微型发光二极管(Micro-LED)显示技术将成为下一代具有革命性的技术,因为Micro-LED显示技术同时具备液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)和有机发光二极管显示器(Organic Light-EmittingDiode,OLED)的优点,而且其克服了OLED显示器蓝光寿命短的问题,Micro-LED显示技术可以应用于小到增强现实显示(Augmented Reality,AR)或虚拟现实(Virtual Reality,VR)显示、大到广告牌电影银幕显示,同时Micro-LED显示技术也适用于各种柔性可穿戴设备。
目前限制Micro-LED技术发展的关键技术之一为巨量转移技术,即如何将大量的微米尺寸的Micro-LED芯片转移到驱动背板上,现有技术中有一些采用电致伸缩器件将电极移动至驱动背板容置槽的巨量转移结构,但转移过程复杂。
为了解决上述技术问题,有必要提供一款用于MicroLED显示的巨量转移结构,来解决上述技术问题。
实用新型内容
为解决上述问题,本实用新型提供一种用于MicroLED显示的巨量转移结构,其结构简单,设计合理,便于发光二极管芯片的巨量转移。
本实用新型采用的技术方案是:一种用于MicroLED显示的巨量转移结构,包括基板和设于基板上的若干个用于容置发光二极管芯片的容置槽,容置槽匹配发光二极管芯片的大小设置,还包括送料装置,送料装置一端贴合基板设有容置槽的一面设置,送料装置设有送料轨道,送料轨道对应容置槽设置,送料装置贴合基板的一端,送料轨道与容置槽连通,送料装置未贴合基板的一端,设有防止来料掉落的挡板。
对上述技术方案的进一步改进为,送料装置设有用于提供输送动力的微送风装置。
对上述技术方案的进一步改进为,送料装置呈倾斜设置。
对上述技术方案的进一步改进为,若干个用于容置发光二极管芯片的容置槽呈直线型均匀间隔分布于基板,送料轨道匹配若干个容置槽的分布设为直线型轨道。
对上述技术方案的进一步改进为,若干个容置槽自圆心向圆周呈发射状均匀间隔分布于基板,送料轨道匹配若干个容置槽的分布设为自圆心向圆周呈发射状的轨道。
对上述技术方案的进一步改进为,若干个用于容置发光二极管芯片的容置槽呈圆盘型均匀间隔分布于基板,送料轨道匹配若干个发光二极管芯片的分布设为圆盘型轨道。
对上述技术方案的进一步改进为,容置槽底部设有器件、中心电极和外电极。
本实用新型的有益效果如下:
本实用新型包括基板和设于基板上的若干个用于容置发光二极管芯片的容置槽,容置槽匹配发光二极管芯片的大小设置,还包括送料装置,送料装置一端贴合基板设有容置槽的一面设置,送料装置设有送料轨道,送料轨道对应容置槽设置,送料装置贴合基板的一端,送料轨道与容置槽连通,送料装置未贴合基板的一端,设有防止来料掉落的挡板,本实用新型结构简单,设计合理,便于通过送料轨道,将巨量的发光二极管芯片送入容置槽。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造