[实用新型]一种正硅酸乙酯前处理系统

说明书

一种正硅酸乙酯前处理系统，包括保护气罐、样品罐、混酸罐、密闭反应单元、以及尾气处理单元，密闭反应单元包括有一个或多个并联设置的消解密封罐体和加热装置，消解密封罐体置于加热装置上且分别通过管道与保护气罐、尾气处理单元、样品罐和混酸罐连通，消解密封罐体与保护气罐连通的管道上设有手动隔膜阀和质量流量计，消解密封罐体与尾气处理单元连通的管道上设有压力传感器，消解密封罐体与样品罐、混酸罐连通的管道上分别设有第一进料缓冲罐和第二进料缓冲罐，第一进料缓冲罐和第二进料缓冲罐的底部均设置有一称重计。本实用新型能够有效避免样品间在挥发过程中出现交叉污染的情况，亦可单个或多个样品同时进行处理，进一步提高工作效率。

技术领域

本实用新型涉及化工工程技术领域，具体涉及一种正硅酸乙酯前处理系统。

背景技术

正硅酸乙酯(英文简称TEOS)也称四乙氧基硅烷、原硅酸四乙酯、硅酸乙酯，是大规模集成电路芯片制作过程中关键的原材料之一，在硅晶圆上生成氧化硅薄膜，以隔离芯片内的电路层起钝化保护作用。随着超高速、超高频、高功率集成电路器件的发展，芯片的加工尺寸已进入深亚微米、百纳米及纳米级，对与之配套的化学品杂质含量要求需由ppb级向ppt级提升，接近分析仪器的下限。因此，在工业上，能快速、准确分析正硅酸乙酯中痕量杂质对于行业的发展十分重要。

为了能够使得正硅酸乙酯样品中痕量金属离子在电感耦合等离子体质谱仪测试时具有较好的测试效果，需将正硅酸乙酯样品进行前处理，实现高效、简单、无污染的将痕量金属离子提取出来。

目前针对正硅酸乙酯样品进行前处理操作一般通过加酸消解在超净工作台挥发方式进行前处理，但是整个过程前期投入较大，处理时间长，若同时处理多个样品存在交叉污染的风险，从而使得样品的前处理成本大大增加。

故而，为了避免交叉污染的风险，同时又能节约时间，降低成本，有必要提供一种全新结构的正硅酸乙酯前处理系统，以满足上述生产需求。

发明内容

有鉴于此，本实用新型的目的是提供一种正硅酸乙酯前处理系统，该前处理系统采用密闭挥发技术，能够有效避免样品间在挥发过程中出现交叉污染的情况，亦可实现单个或多个样品同时进行处理，进一步提高工作效率。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：

一种正硅酸乙酯前处理系统，包括保护气罐、样品罐、混酸罐、密闭反应单元、以及尾气处理单元，所述密闭反应单元包括有一个或多个并联设置的消解密封罐体和一加热装置，所述消解密封罐体放置在所述加热装置上，且分别通过管道与所述保护气罐、所述尾气处理单元、所述样品罐和所述混酸罐连通，所述消解密封罐体与所述保护气罐连通的管道上设置有一手动隔膜阀和一质量流量计，所述消解密封罐体与所述尾气处理单元连通的管道上设置有一压力传感器，所述消解密封罐体与所述样品罐、所述混酸罐连通的管道上分别设置有第一进料缓冲罐和第二进料缓冲罐，所述第一进料缓冲罐与所述消解密封罐体和所述样品罐连通的管道上分别设置有第一进料阀和第二进料阀，所述第二进料缓冲罐与所述消解密封罐体和所述混酸罐连通的管道上分别设置有第三进料阀和第四进料阀，所述第一进料缓冲罐和第二进料缓冲罐的底部均设置有一带有显示屏的称重计。

作为优选的，所述消解密封罐体采用圆柱型的PFA消解罐，所述消解密封罐体的顶端罩设有一具塞密封罩。

作为优选的，所述具塞密封罩的表面具有多个孔洞，所述管道穿设通过所述具塞密封罩的孔洞进入所述消解密封罐体内。

作为优选的，所述混酸罐内灌装有浓度为3～5％、纯度≥99.9999％的超纯氢氟酸与超纯硝酸的混合溶液。

作为优选的，所述样品罐内灌装有正硅酸乙酯样品，所述样品罐与所述混酸罐内流入至所述第一进料缓冲罐和所述第二进料缓冲罐内的液体的重量比为1:1～1:2。

作为优选的，所述保护气罐内灌装有纯度≥99.9999％的纯化氮气。