[实用新型]基于无栅线、无掺杂接触的单晶硅异质结太阳能电池

权利要求书

1.一种基于无栅线、无掺杂接触的单晶硅异质结太阳能电池，其特征在于，从上至下依次包括减反射薄膜（1）、超薄金属薄膜（2）、空穴选择性接触（3）、单晶硅（4）、电子选择性接触（5）、背电极（6）；所述的超薄金属薄膜（2）为连续薄膜，厚度小于10 nm。

2.根据权利要求1所述的单晶硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述的减反射薄膜（1）的禁带宽度大于3 eV，厚度小于100 nm。

3.根据权利要求1所述的单晶硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述的空穴选择性接触（3）为两层，分别为空穴选择性薄膜（7）和第一钝化薄膜（8），且第一钝化薄膜（8）与所述的单晶硅（4）接触；或者为一层，即具有钝化功能的空穴选择性薄膜，并与所述的单晶硅（4）接触。

4.根据权利要求1所述的单晶硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述的单晶硅（4）为n型掺杂，电阻率小于10 Ω•cm，厚度小于400 μm，表面光滑或有绒面陷光结构。

5.根据权利要求1所述的单晶硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述的电子选择性接触（5）为两层，分别为电子选择性薄膜（10）和第二钝化薄膜（9），且第二钝化薄膜（9）与所述的单晶硅（4）接触；或者为一层，即具有钝化功能的电子选择性薄膜，并与所述的单晶硅（4）接触。

6.根据权利要求1所述的单晶硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述的背电极（6）为银、铝单层薄膜，厚度大于20 nm；或者为钙/银、镁/银、钙/铝、镁/铝双层薄膜，厚度比例1:1-1:50，双层薄膜总厚度大于20 nm。

7.根据权利要求3所述的单晶硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述的空穴选择性薄膜（7）的功函数高于所述单晶硅（4）的功函数，禁带宽度大于3 eV，无须额外掺杂；所述的第一钝化薄膜（8）为氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化铪、氮化硅、氮氧化硅、氮氧化哈、本征氢化非晶硅、碳化硅中的一种或多种的组合，厚度小于10 nm。

8.根据权利要求5所述的单晶硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述的电子选择性薄膜（10）的功函数低于所述单晶硅（4）的功函数，禁带宽度大于3 eV，无须额外掺杂；所述的第二钝化薄膜（9）为氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化铪、氮化硅、氮氧化硅、氮氧化哈、本征氢化非晶硅、碳化硅中的一种或多种的组合，厚度小于10 nm。