[实用新型]一种高性能DFB激光器外延结构有效
| 申请号： | 201921537461.7 | 申请日： | 2019-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN210838445U | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 单智发;张永;姜伟;陈阳华 | 申请（专利权）人： | 全磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/22;H01S5/343 |
| 代理公司： | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人： | 刘计成 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 性能 dfb 激光器 外延 结构 | ||
1.一种高性能DFB激光器外延结构，其特征在于：包括InP衬底（01），所述InP衬底（01）上从下至上依次沉积有N-InP缓冲层（02），N-AlInAs限制层（03）、非掺杂AlGaInAs下波导层（04）、非掺杂AlGaInAs量子阱（05）、非掺杂AlGaInAs上波导层（06）、非掺杂P型掺杂的AlInAs限制层（07）、非掺杂P-InP过渡层（08）、非掺杂InGaAsP光栅层（11）、非掺杂InP联接层（12）、非掺杂第一InGaAsP势垒渐变层（13）、非掺杂第二InGaAsP势垒过渡层（14）及非掺杂InGaAs 欧姆接触层（15），所述非掺杂P-InP过渡层（08）中插入有张应变的第一非掺杂InGaAsP异质结超晶格层（9a)和压应变的第二非掺杂InGaAsP异质结超晶格层（9b）。
2.根据权利要求1所述的高性能DFB激光器外延结构，其特征在于：所述第一非掺杂InGaAsP异质结超晶格层（9a) 厚度为2.5nm、波长为1100nm、应变为张应变7000-8000ppm，所述第二非掺杂InGaAsP异质结超晶格层（9b）厚度为2.5nm、波长为1100nm、应变为压应变9000-10000ppm，所述第一非掺杂InGaAsP异质结超晶格层（9a）与所述第二非掺杂InGaAsP异质结超晶格层（9b）之间设有5nm的非掺杂InP层。
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