[实用新型]一种基于石墨烯压阻效应的压力传感器

权利要求书

1.一种基于石墨烯压阻效应的压力传感器，其特征在于，包括高阻硅衬底(4)，所述高阻硅衬底(4)上方设有二氧化硅氧化层(3)，在二氧化硅氧化层(3)中部刻蚀正三棱柱腔体(2)，正三棱柱腔体(2)上覆盖三角形石墨烯薄膜(1)，在三角形石墨烯薄膜(1)顶面边长两端点处分别刻蚀第一金属电极(5)和第二金属电极(6)。

2.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯压阻效应的压力传感器，其特征在于，所述高阻硅衬底(4)为正三棱柱形。

3.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯压阻效应的压力传感器，其特征在于，所述二氧化硅氧化层(3)为正三棱柱形，二氧化硅氧化层(3)的横截面与高阻硅衬底(4)横截面大小相同。

4.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯压阻效应的压力传感器，其特征在于，所述正三棱柱腔体(2)位于二氧化硅氧化层(3)的中部，正三棱柱腔体(2)的轴心与二氧化硅氧化层(3)的轴心重合，腔体的深度与二氧化硅氧化层(3)的厚度相等。

5.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯压阻效应的压力传感器，其特征在于，所述三角形石墨烯薄膜(1)为正三角形，覆盖于正三棱柱腔体(2)顶层，与正三棱柱腔体(2)横截面相适配。

6.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯压阻效应的压力传感器，其特征在于，所述三角形石墨烯薄膜(1)的层数为1至3层。

7.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯压阻效应的压力传感器，其特征在于，所述二氧化硅氧化层(3)为底面边长为6mm，高度为5mm的正三棱柱体。

8.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯压阻效应的压力传感器，其特征在于，所述正三棱柱腔体(2)为底面边长为3mm，高度为1.5mm的正三棱柱腔体。