[实用新型]一种脉冲激光沉积镀膜装置

说明书

本实用新型公开一种脉冲激光沉积镀膜装置，包括真空镀膜室、脉冲激光器、电子源、旋转靶座和可加热旋转的基片架，所述旋转靶座、电子源和基片架设于真空镀膜室中，所述旋转靶座周向环绕分布有六种不同的靶材，所述基片架夹设有基片，所述旋转靶座与基片架横向相对设置，并且所述旋转靶座的中心线与基片架的中心线相互叠合，所述电子源为两个，两个电子源分设于基片架的两侧，所述真空镀膜室周向设有多个透光窗，所述脉冲激光器发出的激光束穿过透光窗射入靶材上。本实用新型能调整激光束射入靶材的角度，方便研究制备高端薄膜，且能使薄膜更加致密，提高镀膜质量，有效提高镀膜的沉积效率，方便制备多种材料的多层薄膜。

技术领域

本实用新型涉及镀膜设备技术领域，特别涉及一种脉冲激光沉积镀膜装置。

背景技术

脉冲激光沉积，也被称为脉冲激光烧蚀，是一种利用激光对物体进行轰击，然后将轰击出来的物质沉淀在不同的衬底上，得到沉淀或者薄膜的一种手段。

现有的脉冲激光沉积镀膜装置大多仅设有一个透光窗，脉冲激光器所发出的激光束通过该透光窗之后直接射入靶材上，这样便难以调整激光束射入靶材的角度，不利于研究制备高端薄膜。

发明内容

本实用新型要解决的技术问题是，针对上述现有技术中的不足，提供一种脉冲激光沉积镀膜装置，其能调整激光束射入靶材的角度，方便研究制备高端薄膜，且能使薄膜更加致密，提高镀膜质量，有效提高镀膜的沉积效率，方便制备多种材料的多层薄膜。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：

一种脉冲激光沉积镀膜装置，其特征在于：包括真空镀膜室、脉冲激光器、电子源、旋转靶座和可加热旋转的基片架，所述旋转靶座、电子源和基片架设于真空镀膜室中，所述旋转靶座周向环绕分布有六种不同的靶材，所述基片架夹设有基片，所述旋转靶座与基片架横向相对设置，并且所述旋转靶座的中心线与基片架的中心线相互叠合，所述电子源为两个，两个电子源分设于基片架的两侧，所述真空镀膜室周向设有多个透光窗，所述脉冲激光器发出的激光束穿过透光窗射入靶材上。

作为一种优选方案，所述电子源的中心线与基片架的中心线所成角度为45°。

作为一种优选方案，所述脉冲激光沉积镀膜装置还包括驱动旋转靶座转动的第一驱动电机，所述第一驱动电机安装于真空镀膜室的侧向，所述旋转靶座与第一驱动电机的输出轴固定连接。

作为一种优选方案，所述旋转靶座和第一驱动电机之间设有用于使旋转靶座能前后伸缩的伸缩装置。

作为一种优选方案，所述脉冲激光沉积镀膜装置还包括驱动基片架转动的第二驱动电机，所述第二驱动电机安装于真空镀膜室的侧向，所述基片架与第二驱动电机的输出轴固定连接。

作为一种优选方案，所述基片架内装设有用于将基片加热的加热器。

作为一种优选方案，所述脉冲激光沉积镀膜装置还包括抽真空系统，所述抽真空系统包括机械泵和分子泵，所述机械泵用于对真空镀膜室进行一级抽真空，所述机械泵的进气口连通分子泵的出气口；所述分子泵用于对真空镀膜室进行二级抽真空，所述分子泵的进气口连通真空镀膜室的出气口；所述分子泵和真空镀膜室之间设置有闸板阀和用于测定真空镀膜室内真空度的真空计。

作为一种优选方案，所述真空镀膜室设有用于向真空镀膜室输入气体的进气接口。

作为一种优选方案，所述脉冲激光沉积镀膜装置还包括聚焦透镜，所述聚焦透镜装设于脉冲激光器的激光发射头的前端，所述脉冲激光器发出的激光束先后穿过聚焦透镜和透光窗射入靶材上。

作为一种优选方案，所述脉冲激光器为准分子激光器。