[实用新型]一种防硫化COB封装结构有效
| 申请号： | 201921521369.1 | 申请日： | 2019-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN211404522U | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 陈智波;苏佳槟;刘俊鑫 | 申请（专利权）人： | 广州硅能照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/56;H01L33/50;H01L33/48;H01L25/075 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 贺红星 |
| 地址： | 510530 广东省广州市广州高*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硫化 cob 封装 结构 | ||
1.一种防硫化COB封装结构，其特征在于，包括：LED金属镜面载体，设置在LED金属镜面载体上的LED芯片，依次设置在LED芯片上的光转换沉积层、第一保护层、防硫化层、第二保护层，所述防硫化COB封装结构还包括阻挡墙；所述阻挡墙包裹在所述LED芯片、光转换沉积层、第一保护层、防硫化层和第二护层外；
所述第一保护层的折射率为1.4-1.45，导热系数≤0.16w/m·k；所述第二保护层的折射率为1.4-1.52，硬度＞50shoreA。
2.根据权利要求1所述的防硫化COB封装结构，其特征在于，所述LED芯片数量≥2颗，相邻芯片之间通过键合金线电气连接。
3.根据权利要求2所述的防硫化COB封装结构，其特征在于，所述键合金线被光转换沉积层或被光转换沉积层和第一保护层密封。
4.根据权利要求1所述的防硫化COB封装结构，其特征在于，所述LED芯片为正装芯片、倒装芯片或垂直芯片中的一种。
5.根据权利要求1所述的防硫化COB封装结构，其特征在于，所述第一保护层为硅胶层。
6.根据权利要求1所述的防硫化COB封装结构，其特征在于，所述防硫化层为含氟聚合物层。
7.根据权利要求1所述的防硫化COB封装结构，其特征在于，所述第二保护层为硅胶层。
8.根据权利要求1所述的防硫化COB封装结构，其特征在于，所述光转换沉积层的厚度为0.1-0.3mm，所述第一保护层的厚度为0.2-0.4mm，所述防硫化层的厚度＜0.1mm，所述第二保护层的厚度为0.1-0.3mm，所述阻挡墙的高度不低于所述第二保护层。
9.根据权利要求8所述的防硫化COB封装结构，其特征在于，所述光转换沉积层的厚度为0.2mm。
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