[实用新型]驱动电路有效

专利信息
申请号: 201921518388.9 申请日: 2019-09-12
公开(公告)号: CN210327370U 公开(公告)日: 2020-04-14
发明(设计)人: 张磊 申请(专利权)人: 苏州汇川技术有限公司
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088;H02M1/092;H02M1/38;H02M1/32
代理公司: 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 代理人: 陆军
地址: 215104 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 驱动 电路
【说明书】:

实用新型实施例公开了一种驱动电路,包括:电平转换单元以及第一驱动支路,并通过所述第一驱动支路对多个并联连接的第一IGBT单模块进行驱动控制,所述第一驱动支路包括原边连接到所述电平转换单元的输出端的第一光耦,所述第一驱动支路还包括均流单元,且所述均流单元的输入端连接到所述第一光耦的副边输出端;所述均流单元具有多个用于输出相同驱动电流的输出端子,且所述多个输出端子分别连接到所述多个第一IGBT单模块的栅极,以改善单个IGBT管并联时出现的不均流的情况。

技术领域

本实用新型涉及电子电力领域,尤其涉及一种驱动电路。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管),相比传统的晶闸管,更适用于大功率设备。随着市场对兆瓦级大功率设备和高电压设备的需求越来越大。通常单个IGBT单管很难到达数十安培或者数百安培,因此IGBT并联方案已经成为一种趋势,IGBT并联可提高系统对负载电流的承受能力,同时可降低模块热集中,做到均匀的温度梯度分布,有益于提高循环周次。然而,单管IGBT并联在导通过程中通常会存在不均流情况,严重时会导致IGBT单管损坏。

实用新型内容

本实用新型实施例针对上述单管IGBT并联导通时出现的不均流问题,提供一种驱动电路。

本实用新型实施例解决上述技术问题采用的技术方案是:提供一种驱动电路,包括:电平转换单元以及第一驱动支路,并通过所述第一驱动支路对多个并联连接的第一IGBT单模块进行驱动控制,所述第一驱动支路包括原边连接到所述电平转换单元的输出端的第一光耦,所述第一驱动支路还包括均流单元,且所述第一驱动支路的均流单元的输入端连接到所述第一光耦的副边输出端;所述第一驱动支路的均流单元具有多个用于输出相同驱动电流的输出端子,且所述多个输出端子分别连接到所述多个第一IGBT单模块的栅极。

优选地,所述驱动电路还包括第二驱动支路,并通过所述第二驱动支路对多个并联连接的第二IGBT单模块进行驱动控制;所述第二驱动支路包括第二光耦和均流单元,所述第二光耦的原边连接到所述电平转换单元的输出端,所述第二驱动支路的均流单元的输入端连接到所述第二光耦的副边输出端,所述第二驱动支路的均流单元通过多个输出端子分别连接到所述多个第二IGBT单模块的栅极。

优选地,所述第一IGBT单模块的集电极连接到正直流母线,所述第一IGBT单模块的发射极连接到所述第二IGBT单模块的集电极,所述第二IGBT单模块的发射极连接到负直流母线;

所述电平转换单元通过第一输出端子和第二转换输出端子输出晶体管-晶体管逻辑电平,且所述电平转换单元的第一转换输出端子分别与所述第一光耦的原边的正极以及第二光耦的原边的负极连接,所述电平转换单元的第二转换输出端子分别与所述第一光耦的原边的负极以及第二光耦的原边的正极连接。

优选地,所述均流单元分别具有两个输出端子,且所述均流单元包括:第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻和第一二极管,其中:所述第一电阻的一端与所述均流单元的输入端连接,另一端与所述第一二极管的阳极连接;所述第二电阻的一端与所述第一二极管的阴极连接,另一端与一个所述输出端子连接;所述第三电阻的一端与所述均流单元的输入端连接,另一端与所述第四电阻的一端连接;所述第四电阻的另一端与另一所述输出端子连接,所述第一二极管的阴极还与所述第四电阻的一端连接。

优选地,所述第一电阻的阻值等于所述第三电阻的阻值,所述第二电阻的阻值等于所述第四电阻的阻值;

所述第一电阻、第二电阻和第三电阻的阻值满足以下关系:

其中,所述r1为所述第一电阻的阻值,所述r2为所述第二电阻的阻值,所述r3为所述第三电阻的阻值,所述r为预设阻值,所述n为每一所述均流单元的输出端子的数量。

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