[实用新型]电池片及叠瓦组件有效
| 申请号: | 201921515500.3 | 申请日: | 2019-09-12 |
| 公开(公告)号: | CN210123748U | 公开(公告)日: | 2020-03-03 |
| 发明(设计)人: | 闫新春;徐洁;夏正月;许涛;邢国强 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;常熟阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 张炜平 |
| 地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电池 组件 | ||
本实用新型提供了一种电池片及叠瓦组件,其中所涉及的电池片包括半导体基板以及覆于所述半导体基板正面的减反射膜,所述电池片还具有位于所述半导体基板正面一侧的边缘主栅,所述边缘主栅形成于所述减反射膜上表面且相对所述半导体基板分离设置;基于本实用新型所提供电池片的结构,可以在避免出现电池片边缘漏电的前提下进一步缩小边缘主栅到半导体基板相应侧边缘的距离,如此在叠瓦组件的具体应用场景中,能够进一步降低同一电池串中相邻两电池单元之间的交叠宽度,从而可靠的实现叠瓦组件的降本提效。
技术领域
本实用新型涉及太阳能光伏领域,尤其涉及一种电池片及叠瓦组件。
背景技术
随着光伏技术的进步和“领跑者”计划的深入推进,中国光伏行业开始进入高效产品比拼的时代,其中,作为主流高效组件技术之一的叠瓦技术目前受到广泛关注。叠瓦组件是利用切片技术将栅线重新设计的电池母片切割成合理尺寸的长条形电池单元,将若干长条形电池单元叠加排布制作成串,再经过串并联排版后层压成组件。叠瓦组件使得电池单元之间以更紧密的方式互相连结,在相同的面积下,叠瓦组件可以放置多于常规组件13%以上的电池片,并且由于此组件结构的优化,采用无焊带设计,大大减少了组件的线损,大幅度提高了组件的输出功率。
随叠瓦组件技术成熟,组件的降本提效(即降低成本、提高效率)成为至关重要的事情,其中,减小相邻电池单元之间的交叠宽度,可以在相同组件版型、相同功率的情况下,减少所使用电池单元的片数,从而能够降低组件制作成本(也可以理解为:在采用相同电池单元数量时,减小相邻电池单元的交叠宽度,能够提高组件的光照接受面积,进而有效提高组件效率)。
在具体叠瓦组件组装过程中,相邻两电池单元的交叠宽度尺寸通常不小于正面主栅到半导体基板相应侧边缘的距离尺寸与正面主栅的宽度尺寸之和,否则相邻两电池片交叠后,交叠位置处的正面主栅会暴露在外;而为保证测试的准确性及稳定性,电池单元的正面主栅宽度也不能无限缩小。基于此,在具体电池片的设计过程中,只能通过进一步缩小正面主栅到半导体基板相应侧边缘的距离来进一步实现光伏组件的降本提效。
通常,在采用电池母片切割成电池单元时,必然存在一块电池单元的正面主栅由电池母片的边缘主栅构成,为了缩小该电池单元中正面主栅到半导体基板相应侧边缘的距离,就需要缩小电池母片中边缘主栅到半导体基板相应侧边缘的距离,然过分的缩小电池母片中边缘主栅到半导体基板相应侧边缘的距离容易出现烧结后形成的边缘主栅与半导体基板P型层之间形成电性连接,进而导致所得到的具有该边缘主栅的电池单元存在边缘漏电问题,而边缘漏电会严重影响电池单元的效率。
有鉴于此,有必要提供一种改进的技术方案以解决上述问题。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术存在的技术问题之一,为实现上述实用新型目的,本实用新型提供了一种电池片,其具体设计方式如下。
一种电池片,包括半导体基板以及覆于所述半导体基板正面的减反射膜,所述电池片还具有位于所述半导体基板正面一侧的边缘主栅,所述边缘主栅形成于所述减反射膜上表面且相对所述半导体基板分离设置。
进一步,所述电池片还具有位于所述半导体基板正面一侧与所述边缘主栅形成电性连接的副栅,所述副栅至少部分区域自所述减反射膜上表面向下穿透所述减反射膜以与所述半导体基板形成电性连接。
进一步,所述边缘主栅与所述半导体基板相应侧边缘之间距离不小于0.2mm。
进一步,所述边缘主栅与所述半导体基板相应侧边缘之间距离不大于0.75mm。
进一步,所述边缘主栅的宽度不小于0.5mm。
进一步,所述电池片还具有若干位于所述半导体基板正面一侧相对所述边缘主栅平行设置的中间主栅。
进一步,若干所述中间主栅形成于所述减反射膜上表面且相对所述半导体基板分离设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





