[实用新型]一种高效晶硅光伏电池结构

说明书

本实用新型公开一种高效晶硅光伏电池结构，包括硅基体，所述硅基体的正面设有钝化膜，所述硅基体的反面自上而下依次包括隧穿介质膜或本征硅薄膜、图形化半导体薄膜、钝化膜及图形化电极；所述半导体薄膜包括P型半导体薄膜和N型半导体薄膜，所述电极包括正电极和负电极；所述正电极穿过钝化膜和P型半导体薄膜形成欧姆接触，所述负电极穿过钝化膜和N型半导体薄膜形成欧姆接触。本实用新型能够极大减少遮光损失，提高电池的电流输出能力。

技术领域

本实用新型涉及光伏电池技术领域，具体涉及一种高效晶硅光伏电池结构。

背景技术

晶体硅太阳能电池正面（受光面）往往存在电极，这些电极遮蔽了部分阳光减少了电池的光电转化效率。全背电极电池结构可以避免上述问题，但这种电池需要在电池背面进行图形化掺杂。目前此类电池的制备方案为掩膜掺杂方案，工艺较复杂，成本较高。

实用新型内容

实用新型目的：本实用新型目的在于针对现有技术的不足，提供一种高效晶硅光伏电池结构及其制备方法，能够极大减少遮光损失，提高电池的电流输出能力（Isc）。

技术方案：本实用新型所述一种高效晶硅光伏电池结构，包括硅基体，所述硅基体的正面设有钝化膜，所述硅基体的反面自上而下依次包括隧穿介质膜或本征硅薄膜、图形化半导体薄膜、钝化膜及图形化电极；所述半导体薄膜包括P型半导体薄膜和N型半导体薄膜，所述电极包括正电极和负电极；所述正电极穿过钝化膜和P型半导体薄膜形成欧姆接触，所述负电极穿过钝化膜和N型半导体薄膜形成欧姆接触。

优选地，所述隧穿介质膜选自SiO₂、Al₂O₃、SiC中的一种。

优选地，所述隧穿介质膜的厚度为1-5nm。

优选地，所述隧穿介质膜的厚度为1-2nm。

优选地，所述P型半导体薄膜选自P-Si、P-NiO、P-Cu₂O中的一种。

优选地，所述P型半导体薄膜的厚度为5-200nm。

优选地，所述P型半导体薄膜的厚度为20-100nm。

优选地，所述P型半导体薄膜的电阻率介于1E-1和1E-4Ω*CM。

优选地，所述N型半导体薄膜选自N-Si、N-ZnO、N-TiO₂中的一种。

优选地，所述N型半导体薄膜的厚度为5-200nm。

优选地，所述N型半导体薄膜的厚度为20-100nm。

优选地，所述N型半导体薄膜的电阻率介于1E-1和1E-4Ω*CM。

优选地，所述N型半导体薄膜和P型半导体薄膜不产生交叉。

优选地，所述本征硅薄膜的厚度为2-20nm。

优选地，所述本征硅薄膜的厚度为5-10nm。

优选地，所述本征硅薄膜设为图形化，且所述图形化本征硅薄膜与图形化P型半导体薄膜和/或N型半导体薄膜相对对应。

优选地，所述钝化膜为SiNx或SixOyNz，所述钝化膜的厚度为60-200nm。

优选地，所述钝化膜的厚度为70-120nm。

优选地，所述图形为线条状，且所述线条状图形的宽度为20-500μm。

优选地，所述线条状图形的宽度为50-100μm。