[实用新型]一种晶硅高效光伏电池结构有效
| 申请号： | 201921510426.6 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN210692548U | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 余伟 | 申请（专利权）人： | 南京爱通智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京先科专利代理事务所(普通合伙) 32285 | 代理人： | 孙甫臣 |
| 地址： | 210000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高效 电池 结构 | ||
1.一种晶硅高效光伏电池结构，包括硅基体，其特征在于，在硅基体的上表面自下而上依次包括隧穿介质层或本征硅层、功能层、光学层及电极；所述功能层为高透光率的半导体层，所述功能层的电阻率比硅基体的电阻率低1-6个数量级，所述功能层的厚度为5-200nm。
2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述功能层的电阻率比硅基体的电阻率低2-4个数量级。
3.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述功能层为ZnO层或TiO2层或NiO层或Cu2O层。
4.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述功能层的厚度为10-20nm。
5.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述隧穿介质层为绝缘层。
6.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述隧穿介质层的厚度为0.4-5nm。
7.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述本征硅层为非晶态或微晶态或多晶态，本征硅层的厚度为1-20nm。
8.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述光学层的厚度为60-110nm，平均折射率为1.8-2.3，透光率为不低于80%。
9.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述光学层为绝缘层，所述电极和功能层物理接触。
10.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述光学层为导电层，所述电极和光学层物理接触。
11.根据权利要求5所述的结构，其特征在于，所述隧穿介质层为SiO2层或Al2O3层或SiC层。
12.根据权利要求6所述的结构，其特征在于，所述隧穿介质层的厚度为0.8-2nm。
13.根据权利要求7所述的结构，其特征在于，所述本征硅层的厚度为5-10nm。
14.根据权利要求8所述的结构，其特征在于，所述光学层的厚度为70-90nm，平均折射率为1.9-2.1，透光率为高于90%。
15.根据权利要求9所述的结构，其特征在于，所述光学层为SiNx层或AlN层或SiO2层。
16.根据权利要求10所述的结构，其特征在于，所述光学层为氧化锌掺铝层或氧化铟掺锡层或氧化锡掺氟层或氧化锡掺锑层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京爱通智能科技有限公司，未经南京爱通智能科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201921510426.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种启动电池极片快速定位安装工装
- 下一篇：一种抽屉式消防主机
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
