[实用新型]太阳能电池片及具有该电池片的光伏组件有效
申请号: | 201921504549.9 | 申请日: | 2019-09-10 |
公开(公告)号: | CN210123740U | 公开(公告)日: | 2020-03-03 |
发明(设计)人: | 张春华;吴泽民;叶陈男;衡阳;潘励刚;李栋 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/05 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 张炜平 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 具有 电池 组件 | ||
本实用新型公开了一种太阳能电池片及具有该太阳能电池片的光伏组件,所涉及太阳能电池片包括半导体基板以及形成于所述半导体基板表面的汇流主栅,所述半导体基板于所述汇流主栅形成区域内具有至少一个贯穿槽;本实用新型太阳能电池片中所涉及半导体基板设置贯穿槽的结构可以减少半导体基板构成材料的用量,进而可降低太阳能电池片的制作成本;同时由于本实用新型中贯穿槽设置于汇流主栅形成区域内,其不会影响影响太阳能电池片的光照吸收面积,可确保太阳能电池片的电池效率。
技术领域
本发明涉及光伏领域,尤其涉及一种太阳能电池片及具有该电池片的光伏组件。
背景技术
当电力、煤炭、石油等不可再生能源频频告急,能源问题日益成为制约国际社会经济发展的瓶颈时,越来越多的国家开始实行“阳光计划”,开发太阳能资源,寻求经济发展的新动力。欧洲一些高水平的核研究机构也开始转向可再生能源。在国际光伏市场巨大潜力的推动下,各国的太阳能电池制造业争相投入巨资,扩大生产,以争一席之地。
太阳能电池光伏组件是通过光电效应把光能转化成电能的装置,太阳能电池片是构成太阳能电池光伏组件的关键元件,对于太阳能电池片的构成成本而言,硅片成本占比较高,降低硅片制作成本对于行业降低总生产成本是非常重要的环节,然基于目前行业内的太阳能电池片结构,已经很难再进一步降低硅片成本占比。
有鉴于此,有必要提供一种改进的技术方案以解决上述问题。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术存在的技术问题,为实现上述发明目的,本发明提供了一种太阳能电池片,其具体设计方式如下。
一种太阳能电池片,包括半导体基板以及形成于所述半导体基板表面的汇流主栅,所述半导体基板于所述汇流主栅形成区域内具有至少一个贯穿槽。
进一步,所述汇流主栅具有与相应所述贯穿槽连通的连通孔。
进一步,所述贯穿槽于所述半导体基板一表面的投影位于相应所述连通孔于该表面的投影内部。
进一步,所述半导体基板于所述贯穿槽位置处的侧壁形成有绝缘结构。
进一步,每一所述贯穿槽的宽度范围为0.01-1mm。
进一步,所述半导体基板同一表面上相邻两所述汇流主栅所对应的贯穿槽在所述汇流主栅的长度方向上形成错位。
进一步,所述太阳能电池片具有两个于所述汇流主栅长度方向上相对的边缘,两所述边缘中至少一个所在侧设置有延伸至相应所述边缘的边孔,所述边孔位于所述汇流主栅的端部。
进一步,两所述边缘所在侧均设置有延伸至相应所述边缘的边孔,每一所述边缘所在侧的所述边孔与所述半导体基板一表面的所述汇流主栅一一对应设置。
进一步,所述汇流主栅包括形成于所述半导体基板正面的正电极主栅,所述边孔的开口宽度不小于所述正电极主栅的宽度。
进一步,于所述边孔的延伸设置方向上,所述边孔的开口宽度逐渐增大。
本实用新型还提供了一种光伏组件,该光伏组件包括若干以上所述的太阳能电池片以及串联若干所述太阳能电池片的互联条。
本发明的有益效果是:本实用新型太阳能电池片中所涉及半导体基板设置贯穿槽的结构可以减少半导体基板构成材料的用量,进而可降低太阳能电池片的制作成本;同时由于本实用新型中贯穿槽设置于汇流主栅形成区域内,其不会影响影响太阳能电池片的光照吸收面积,可确保太阳能电池片的电池效率。
附图说明
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司,未经苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201921504549.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:地面数字电视发射机测试仪装置
- 下一篇:一种监控补光装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的