[实用新型]一种集成发光Micro LED芯片有效
| 申请号： | 201921492808.0 | 申请日： | 2019-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN210272366U | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 李志聪;王国宏;戴俊;吴杰 | 申请（专利权）人： | 扬州中科半导体照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/00 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 集成 发光 micro led 芯片 | ||
1.一种集成发光Micro LED芯片，在衬底的上方依次设置缓冲层、非故意掺杂GaN层和n型掺杂GaN层，在n型掺杂GaN层上分别设置N型电极、绝缘介质掩膜层、第一蓝光电致发光结构层、第二蓝光电致发光结构层和绿光电致发光结构层，在所述第一蓝光电致发光结构层、第二蓝光电致发光结构层和绿光电致发光结构层表面分别设置P型电极；其特征在于：所述第一蓝光电致发光结构层、第二蓝光电致发光结构层和绿光电致发光结构层横向间隔地分布在绝缘介质掩膜层之间；所述第一蓝光电致发光结构层和所述第二蓝光电致发光结构层自下而上均包括：InGaN/GaN蓝光多量子阱有源层、电子阻挡层、p型掺杂GaN层和透明导电层；所述绿光电致发光结构层自下而上包括：InGaN/GaN绿光多量子阱有源层、电子阻挡层、p型掺杂GaN层和透明导电层；在所述第二蓝光电致发光结构层的透明导电层上设置红光光致发光转换层。
2.根据权利要求1所述的集成发光Micro LED芯片，其特征在于：所述第一蓝光电致发光结构层的宽度为1～100μm。
3.根据权利要求1所述的集成发光Micro LED芯片，其特征在于：所述第二蓝光电致发光结构层的宽度为1～100μm。
4.根据权利要求1所述的集成发光Micro LED芯片，其特征在于：所述绿光电致发光结构层的宽度为1～100μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
