[实用新型]错误校正码存储器和电子电路

说明书

本公开涉及一种错误校正码存储器和电子电路。错误校正码存储器包括一个或多个有意无效字。电子电路被配置为将一个或多个有意无效字写入错误校正码存储器。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年9月6日提交的法国专利申请号18/57993的优先权，其内容在法律允许的最大程度通过引用整体并入本文。

技术领域

本公开总体上涉及电子设备，并且更具体地涉及错误校正码存储器。

背景技术

在错误校正码存储器中，错误校正码使得能够检测和/或校正所存储的数据中的一个或多个错误。这种存储器通常被包括在集成电路芯片中。

实用新型内容

实施例克服了已知错误校正码存储器的全部或部分缺点。

实施例提供了一种方法，其包括将一个或多个有意无效字写入错误校正码存储器。

根据实施例，该方法包括：在上述写入之前，生成无效字。

根据实施例，该方法包括：在上述写入之前，在存储器中为上述字选择连续位置。

根据实施例，上述字或上述字之一包括单个无效位。

根据实施例，上述字或上述字之一恰好包括两个无效位。

根据实施例，该方法包括：在上述写入之后，锁定上述字的只读模式。

实施例提供了一种错误校正码存储器，其包括一个或多个有意无效字。

根据实施例，所述字位于连续位置。

根据实施例，所述字是以只读模式可访问的。

根据实施例，所述字或所述字之一包括单个无效位。

根据实施例，所述字或所述字之一恰好包括两个无效位。

实施例提供了一种诸如上文中定义的存储器用于测试错误校正电路的用途。

实施例提供了一种电子电路，其被配置为将一个或多个有意无效字写入错误校正码存储器。

根据实施例，该电路被配置为使得在工厂中执行有意无效字的写入。

根据实施例，该电路包括诸如上文中定义的存储器。

在以下结合附图对特定实施例的非限制性描述中，将详细讨论前述和其他特征和优点。

附图说明

图1示出了包括错误校正码存储器的电路的实施例。

具体实施方式

在不同附图中，相同的元素用相同的附图标记表示。特别地，不同实施例共有的结构和/或功能元件可以用相同的附图标记表示，并且可以具有相同的结构、尺寸和材料特性。

为清楚起见，仅示出了并且详细描述了对理解所描述的实施例有用的那些步骤和元件。特别地，没有详细描述错误校正码，其中所描述的实施例与当前错误校正码兼容。

在整个本公开中，术语“连接”用于表示电路元件之间的直接电连接而没有除了导体之外的中间元件，而术语“耦合”用于表示在电路元件之间的电连接，该电连接可以是直接的，也可以是经由一个或多个中间元件的。

在以下描述中，除非另有说明，否则当提及限定绝对位置的术语(诸如术语“前面”、“后面”、“顶部”、“底部”、“左侧”、“右侧”等)或限定相对位置的术语(诸如术语“上方”、“下方”、“上面”、“下面”等)或限定方向的术语(诸如术语“水平”、“竖直”等)时，均参考图纸的方向。