[实用新型]一种高阻水透明片材有效
| 申请号: | 201921464612.0 | 申请日: | 2019-09-04 |
| 公开(公告)号: | CN210467860U | 公开(公告)日: | 2020-05-05 |
| 发明(设计)人: | 顾方明;林玉光;王佩刚;刘会举 | 申请(专利权)人: | 绍兴福膜新材料有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/049;B32B27/08;B32B27/30;B32B27/36;B32B27/32;B32B7/12;B32B27/28;B32B33/00 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 312300 浙江省绍兴市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 高阻水 透明 | ||
1.一种高阻水透明片材,包括透明基材层,其特征在于,所述高阻水透明片材由外至内包括透明面膜层、透明胶层、透明阻水层以及所述透明基材层,所述透明胶层位于所述透明面膜层与所述透明阻水层之间,所述透明阻水层位于所述透明胶层与所述透明基材层之间,所述透明阻水层的一侧与所述透明胶层贴合,所述透明阻水层的另一侧与所述透明基材层贴合,所述透明阻水层位于所述透明基材层的外侧,所述透明面膜层对于波长为380-1100nm的光的透过率为80%以上。
2.如权利要求1所述的高阻水透明片材,其特征在于,所述透明面膜层为单层膜,所述透明面膜层的厚度为5-100微米,所述透明面膜层为PVDF、PVF、ETFE、ECTFE膜层中的一种。
3.如权利要求1所述的高阻水透明片材,其特征在于,所述透明面膜层为两层以上的膜层,所述透明面膜层的厚度为5-100微米,所述透明面膜层为PVDF膜层。
4.如权利要求2或3所述的高阻水透明片材,其特征在于,所述透明面膜层对于波长为380-1100nm的光的透过率为85%以上。
5.如权利要求2或3所述的高阻水透明片材,其特征在于,所述透明阻水层的厚度小于等于1微米,所述透明阻水层的水汽透过率小于等于为100g/m2*d。
6.如权利要求2或3所述的高阻水透明片材,其特征在于,所述透明阻水层的厚度小于等于1微米,所述透明阻水层的水汽透过率小于等于为10-1g/m2*d。
7.如权利要求1所述的高阻水透明片材,其特征在于,所述透明胶层的厚度为2-25微米,所述透明面膜层的厚度为20-50微米,所述透明阻水层的厚度为10-500纳米,所述透明阻水层的水汽透过率小雨等于10-3g/m2*d。
8.如权利要求1所述的高阻水透明片材,其特征在于,所述透明胶层由包括丙烯酸粘结剂、聚氨酯粘结剂、环氧树脂粘结剂、乙烯-醋酸乙烯酯粘结剂中的至少一种制得。
9.如权利要求1所述的高阻水透明片材,其特征在于,所述透明基材层为透明PET基材层或者透明PP基材层,或者透明PC基材层,或者透明PBT基材层,或者透明COC基材层,或者透明TPX基材层,或者透明PMMA基材层,所述透明基材层的厚度为40-280微米,所述透明阻水层的厚度范围为10-500纳米,所述透明阻水层的水汽透过率小于等于为10-4g/m2*d。
10.如权利要求1所述的高阻水透明片材,其特征在于,所述透明面膜层包括面层第一氟膜层、面层中间层以及面层第二氟膜层,所述面层中间层位于所述面层第一氟膜层与所述面层第二氟膜层之间,所述面层第二氟膜层位于所述面层中间层与所述透明胶层之间,所述面层中间层的厚度大于等于所述面层第一氟膜层的厚度,所述面层中间层的厚度大于等于所述面层第二氟膜层的厚度,所述透明片材的厚度大于等于100微米,所述透明面膜层的厚度大于等于10微米,所述面层中间层由包括PVDF和增强树脂的膜构成,所述面层第一氟膜层的厚度与所述面层中间层的厚度比为(0.5-1.5):(2-5),所述面层中间层的厚度与所述面层第二氟膜层的厚度比为(2-5):(0.25-1.5),所述高阻水透明片材相对于380-1100nm的光的透光率大于等于85%,所述透明阻水层的水汽透过率小于等于为10-6g/m2*d。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





