[实用新型]存储器

说明书

本实用新型提供了一种存储器及其形成方法。本实用新型提供的存储器中，形成在字线沟槽中的介质材料层具有上层部和下层部，并且在沟槽隔离结构中和在有源区中，介质材料层的上层部的厚度均大于下层部的厚度。如此，即能够改善字线和有源区之间的漏电流现象，包括：降低了位于沟槽隔离结构中的字线和有源区之间的漏电流，以及能够在维持存储晶体管的性能的基础上，改善栅极感应漏电流(GIDL)现象。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种存储器。

背景技术

随着半导体器件尺寸的不断缩减，半导体器件中的各个组件的特征尺寸也迅速缩小，并且相邻的各个组件之间的间隔也越来越近。如此，将极易引发相邻组件之间的漏电流现象。

具体针对存储器(例如，动态随机存储器，Dynamic Random Access Memory)而言，随着存储器尺寸的不断缩减，使得掩埋在衬底中的字线与邻近的有源区之间将容易出现漏电流现象。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种存储器，以改善存储器的漏电流现象。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种存储器，包括：

衬底，所述衬底中形成有多个有源区和沟槽隔离结构，沟槽隔离结构分隔相邻的有源区，以及所述衬底中还形成有字线沟槽，所述字线沟槽沿着预定方向延伸，以穿过相应的有源区和沟槽隔离结构；

介质材料层，覆盖所述字线沟槽的内壁，以及所述介质材料层具有上下连接的上层部和下层部，所述上层部和所述下层部均沿着所述预定方向连续延伸，以使所述字线沟槽中位于所述有源区中的沟槽内壁和位于所述沟槽隔离结构中的沟槽内壁均覆盖有所述上层部和所述下层部，并且所述上层部的厚度值大于所述下层部的厚度值；以及，

至少一条字线，所述字线形成在所述介质材料层上并填充所述字线沟槽，并且所述字线从所述下层部延伸至所述上层部。

在本实用新型提供的存储器中，形成在字线沟槽中的介质材料层具有厚度不同的上层部和下层部，并且介质材料层中的上层部和下层部均沿着字线的延伸方向连续延伸，以使字线沟槽中位于有源区中的沟槽内壁和位于沟槽隔离结构中的沟槽内壁均覆盖有所述上层部和所述下层部，并且所述上层部的厚度值大于所述下层部的厚度。如此，即能够利用较厚的上层部改善字线和有源区之间的漏电流现象，具体为，可以有效改善位于沟槽隔离结构中的字线和有源区之间的漏电流现象。

附图说明

图1为本实用新型实施例一中的存储器的俯视图；

图2a为本实用新型实施例一中的存储器在aa’方向上的剖面示意图；

图2b为本实用新型实施例一中的存储器在bb’方向上的剖面示意图；

图3a～图3f为本实用新型实施例一中的存储器的形成方法在其制备过程中的结构示意图；

图4a为本实用新型实施例二中的存储器在aa’方向上的结构示意图；

图4b为本实用新型实施例二中的存储器在bb’方向上的结构示意图；

图5a～图5e为本实用新型实施例二中的存储器的形成方法在其制备过程中的结构示意图。

其中，附图标记如下：

100-衬底；

110a-上沟槽；

200-绝缘介质层；

300-牺牲层；

WL-字线；

DL/DL’-介质材料层；

DL1/DL1’-第一介质层；