[实用新型]硅芯片压力感应装置及设备

权利要求书

1.硅芯片压力感应装置，其特征在于，包括：

刚性结构，用于与被测物体贴合且跟随被测物体变形，所述刚性结构包括沿X轴间隔设置的刚性块，相邻两个所述刚性块之间形成应变放大区，所述刚性结构具有两个在Z轴上相对设置的安装面，其中一个所述安装面作为与被测物体的贴合面；以及

第一硅压力感应芯片，至少一个所述应变放大区的两个所述安装面分别设置有两个所述第一硅压力感应芯片，对应于同一个所述应变放大区的四个所述第一硅压力感应芯片连接形成第一全桥电路，位于同一所述安装面上的两个所述第一硅压力感应芯片作为一组相对桥臂；所述第一全桥电路电连接于信号处理电路以检测所述刚性结构的形变并得出被测物体的作用力。

2.如权利要求1所述的硅芯片压力感应装置，其特征在于，所述硅芯片压力感应装置还包括设置于所述刚性块上且与所述第一硅压力感应芯片对应靠近设置的第二硅压力感应芯片；至少两个相邻设置的所述应变放大区的两个所述安装面分别设置有两个所述第一硅压力感应芯片；

相邻于所述应变放大区的每一个所述刚性块的两个所述安装面分别设置有一个所述第二硅压力感应芯片，相邻于同一个所述应变放大区的两个所述刚性块上的四个所述第二硅压力感应芯片连接的第二全桥电路，位于同一所述安装面上的两个所述第二硅压力感应芯片作为一组相对桥臂；所述第二全桥电路与所述第一全桥电路对应以使该第二全桥电路的输出量作为该第一全桥电路的温度补偿量。

3.如权利要求2所述的硅芯片压力感应装置，其特征在于，所述第一硅压力感应芯片与所述第二硅压力感应芯片均包括硅片及两个分别设于所述硅片正面的两端部的电极。

4.如权利要求3所述的硅芯片压力感应装置，其特征在于，两个所述安装面上均设有柔性基材，所述第一硅压力感应芯片与所述第二硅压力感应芯片安装于对应的所述柔性基材。

5.如权利要求4所述的硅芯片压力感应装置，其特征在于，所述硅片的背面粘贴在所述柔性基材上，所述电极通过导电浆电连接至所述柔性基材上。

6.如权利要求4所述的硅芯片压力感应装置，其特征在于，两个所述柔性基材通过一个母基材弯折形成。

7.如权利要求4至6任一项所述的硅芯片压力感应装置，其特征在于，所述柔性基材与所述安装面之间通过胶体粘接。

8.如权利要求1至6任一项所述的硅芯片压力感应装置，其特征在于，所述第一硅压力感应芯片的长度方向与所述刚性块的排列方向相互平行。

9.如权利要求1至6任一项所述的硅芯片压力感应装置，其特征在于，所述刚性结构为钢片、铝片、玻璃片或FR4片。

10.设备，其特征在于，包括如权利要求1至9任一项所述的硅芯片压力感应装置。