[实用新型]基于哑铃型光栅的近红外宽带完美吸收器

权利要求书

1.一种基于哑铃型光栅的近红外宽带完美吸收器，其特征在于：它呈五层结构，包括自下而上依次设置的硅衬底、用于增大入射电磁波的吸收率的金膜、用于增大入射电磁波的吸收率的二氧化硅缓冲层、用于增大整体的机械强度和增强电磁场相互作用以增大入射电磁波的吸收率的石墨烯层、用于减少入射电磁波的反射且能够产生宽带共振吸收作用的哑铃型光栅，所述的哑铃型光栅水平设置于所述的石墨烯层的上表面上。

2.根据权利要求1所述的基于哑铃型光栅的近红外宽带完美吸收器，其特征在于：所述的硅衬底的厚度为0.8～1.2毫米。

3.根据权利要求2所述的基于哑铃型光栅的近红外宽带完美吸收器，其特征在于：所述的金膜的厚度为80～120纳米。

4.根据权利要求1所述的基于哑铃型光栅的近红外宽带完美吸收器，其特征在于：所述的金膜通过磁控溅射微纳加工技术加工于所述的硅衬底的上表面上。

5.根据权利要求3所述的基于哑铃型光栅的近红外宽带完美吸收器，其特征在于：所述的二氧化硅缓冲层的厚度为170～220纳米。

6.根据权利要求5所述的基于哑铃型光栅的近红外宽带完美吸收器，其特征在于：所述的哑铃型光栅由多个哑铃型结构平行排列构成。

7.根据权利要求6所述的基于哑铃型光栅的近红外宽带完美吸收器，其特征在于：所述的哑铃型结构的中间部分的函数表达式为标准的二次曲线ax²+c，其中，a和c均为常数，a的取值范围为0.15～0.3微米^-1，c的取值范围为0.06～0.09微米，x表示X方向的自变量。

8.根据权利要求7所述的基于哑铃型光栅的近红外宽带完美吸收器，其特征在于：所述的哑铃型光栅的周期为0.89～0.93微米，所述的哑铃型结构的厚度为0.01～0.3微米，所述的哑铃型结构的两端部分的宽度为0.5～0.6微米。

9.根据权利要求6所述的基于哑铃型光栅的近红外宽带完美吸收器，其特征在于：所述的哑铃型光栅的制作材料选用磷化铟，磷化铟在1.6微米附近的折射率为3.16。