[实用新型]电子器件和半导体封装有效
| 申请号： | 201921445045.4 | 申请日： | 2019-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN211088245U | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | O·奥里;R·贾勒特 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(图尔)公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/49;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张昊 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子器件 半导体 封装 | ||
1.一种电子器件，其特征在于，包括：
支持件；
导电层，覆盖所述支持件；
半导体芯片，位于所述导电层上，其中所述半导体芯片具有150微米以下的厚度；以及
绝缘壳体。
2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述半导体芯片包括集成电子部件的有源表面。
3.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述导电层是金属。
4.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述半导体芯片包括限定雪崩二极管的电极的掺杂区域。
5.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述绝缘壳体限定CSP型封装。
6.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述半导体芯片的厚度小于100微米。
7.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述支持件、所述半导体芯片和所述导电层在二维中具有彼此相同的尺寸和形状。
8.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述支持件、所述半导体芯片和所述导电层形成平行六面体形状的叠层。
9.一种半导体封装，其特征在于，包括：
支持件；
半导体芯片，位于所述支持件上；
导电层，位于所述半导体芯片和所述支持件之间，所述支持件、所述半导体芯片和所述导电层具有彼此共面的侧表面；以及
绝缘材料，位于共面的所述侧表面上。
10.根据权利要求9所述的半导体封装，其特征在于，所述半导体芯片具有150微米以下的厚度。
11.根据权利要求9所述的半导体封装，其特征在于，所述半导体芯片包括限定雪崩二极管的电极的掺杂区域。
12.根据权利要求9所述的半导体封装，其特征在于，所述导电层是金属材料。
13.根据权利要求9所述的半导体封装，其特征在于，所述绝缘材料覆盖所述支持件的底表面。
14.根据权利要求13所述的半导体封装，其特征在于，除了所述半导体芯片的多个端子，所述绝缘材料覆盖所述半导体芯片的有源表面。
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