[实用新型]波导和集成光子电路

说明书

本公开的各实施例涉及波导和集成光子电路。在一个实施例中，波导包括上游部分、下游部分和上游部分和下游部分之间的中间部分。第一波带设置在绝缘层上，该第一波带沿第一方向定向。第一侧向条带和第二侧向条带，设置在第一波带的任一侧，该第一侧向条带和第二侧向条带沿中间部分变薄或者中断。

技术领域

本公开涉及波导和集成光子电路。

背景技术

在集成光子电路中，光信号可以通过波导传输。当前，波导的截面的尺寸被选择以使得信号的给定光学模式是通过波导传播的唯一导模，该给定光学模式通常是横电(TEo)和/或横磁(TMo)基本模式。然而，波导材料中的不均匀性和/或波导几何形状的变化可能导致波导中的寄生光学模式的发生，即，在唯一导模是基本模式时高阶光学模式的发生。这样的杂散模式是干扰的，特别是由于以下事实：在导模和杂散模式之间可能出现有害的干扰。

实用新型内容

根据本公开的第一方面，提供了一种波导，包括：上游部分、下游部分、以及所述上游部分和所述下游部分之间的中间部分；设置在绝缘层上的第一波带，所述第一波带沿着第一方向定向；以及设置在所述第一波带的任一侧的第一侧向条带和第二侧向条带，所述第一侧向条带和所述第二侧向条带沿着所述中间部分变薄或者被中断。

在一些实施例中，所述第一侧向条带和所述第二侧向条带二者均与所述第一波带接触。

在一些实施例中，所述第一侧向条带和所述第二侧向条带二者与所述第一波带的相应侧向面接触。

在一些实施例中，波导进一步包括：邻近所述第一侧向条带设置的第二波带，其中所述第一侧向条带被设置在所述第二波带和所述第一波带之间；以及邻近所述第二侧向条带设置的第三波带，其中所述第二侧向条带被设置在所述第三波带和所述第一波带之间。

在一些实施例中，所述第二波带和所述第三波带与所述第一波带平行。

在一些实施例中，所述第二波带和所述第三波带沿着所述中间部分包括吸收材料，所述吸收材料被配置为吸收旨在通过所述波导传播的信号的波长。

在一些实施例中，所述吸收材料选自包括如下项的组：硅化物、锗、碳化硅、锗-硅、锡、钛、氮化钛、钽、氮化钽、钨、铜、以及这些材料的合金或者混合物。

在一些实施例中，沿着所述上游部分和所述下游部分，所述第一侧向条带和所述第二侧向条带被配置以使得旨在通过所述波导传播的引导光学模式的有效光学指数一直到所述中间部分渐进地变化。

在一些实施例中，所述第一侧向条带和所述第二侧向条带中的每个侧向条带沿着所述中间部分被中断，并且其中所述第一侧向条带和所述第二侧向条带的宽度沿着所述上游部分和所述下游部分中的每个部分一直到所述中间部分渐进地减少。

在一些实施例中，所述第一侧向条带和所述第二侧向条带中的每个侧向条带沿着所述中间部分变薄，并且沿着所述上游部分和所述下游部分中的每个部分，所述第一侧向条带和所述第二侧向条带中的每个侧向条带包括上部分，所述上部分具有一直到所述中间部分减少的宽度。

在一些实施例中，所述中间部分是纵长地弯曲的。

在一些实施例中，所述绝缘层是绝缘体上半导体类型的结构。

在一些实施例中，所述第一波带、所述第一侧向条带和所述第二侧向条带均被限定在绝缘体上半导体结构的半导体层中。

在一些实施例中，所述第一波带、所述第一侧向条带和所述第二侧向条带均置于绝缘体上半导体结构的所述绝缘层上并且与所述绝缘层接触。