[实用新型]薄膜体声波谐振器及滤波器有效

专利信息
申请号: 201921433456.1 申请日: 2019-08-30
公开(公告)号: CN211959173U 公开(公告)日: 2020-11-17
发明(设计)人: 缪建民;张瑞珍 申请(专利权)人: 迈感微电子(上海)有限公司
主分类号: H03H9/17 分类号: H03H9/17;H03H9/05;H03H3/02;H03H9/58
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆
地址: 201313 上海市浦东新区万*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 薄膜 声波 谐振器 滤波器
【说明书】:

实用新型实施例公开了一种薄膜体声波谐振器及滤波器,该薄膜体声波谐振器包括:支撑结构,所述支撑结构内部设置空气隙;形成在所述支撑结构上的自下而上排列的下电极、压电层和上电极。本实用新型实施例提供的技术方案,增加了薄膜体声波谐振器的机械牢固度,有效避免常规工艺牺牲层被灌入通孔的腐蚀液腐蚀不完全和腐蚀液清洗不干净的问题。

技术领域

本实用新型实施例涉及半导体技术领域,尤其涉及一种薄膜体声波谐振器及滤波器。

背景技术

近年来,随着无线通信技术朝着高频率和高速度方向迅猛发展,以及电子元器件朝着微型化和低功耗的方向发展,基于薄膜体声波谐振器(Film Bulk AcousticResonator,FBAR)的滤波器的研究与开发越来越受到人们的关注。

目前的薄膜体声波谐振器,常常会因为其机械牢固度不够,以至于薄膜体声波谐振器不能正常使用。

实用新型内容

有鉴于此,本实用新型实施例提供了一种薄膜体声波谐振器及滤波器,以解决现有技术中薄膜体声波谐振器常常会因为其机械强度不够,以至于薄膜体声波谐振器不能正常使用的技术问题。

第一方面,本实用新型实施例提供了一种薄膜体声波谐振器,包括:

支撑结构,所述支撑结构内部设置空气隙;

形成在所述支撑结构上的自下而上依次排列的下电极、压电层和上电极。

可选地,所述支撑结构包括第一晶圆,所述第一晶圆的第一表面设置凹槽;

形成在所述第一晶圆上的第一绝缘层,所述第一绝缘层覆盖所述凹槽,所述第一晶圆和所述第一绝缘层包围所述凹槽,所述凹槽构成所述空气隙。

可选地,在垂直于所述第一晶圆的第一表面方向上,所述空气隙的纵截面图形为多边形。

可选地,所述第一绝缘层包括第一氧化硅绝缘层。

可选地,所述压电层包括氮化铝压电层、氧化锌压电层以及锆钛酸铅压电陶瓷压电层中的任一一种。

第二方面,本实用新型实施例提供了一种滤波器,包括第一方面任意所述的薄膜体声波谐振器。

在本实施例提供的技术方案,支撑结构内部设置空气隙,形成在支撑结构上的自下而上排列的下电极、压电层和上电极组成的压电振荡声学堆,支撑结构支撑下电极、压电层和上电极组成的压电振荡声学堆,整个薄膜体声波谐振器在下电极的下表面形成空气界面,以达到反射声波、降低器件损耗、提高谐振单元品质因数的目的,无需像现有技术中在下电极、压电层和上电极组成的压电振荡声学堆上设置通孔作为释放通道,连通至支撑结构的空气隙,增强了整个薄膜体声波谐振器的机械牢固度,有效避免常规工艺牺牲层被灌入通孔的腐蚀液腐蚀不完全和腐蚀液清洗不干净的问题。

附图说明

通过阅读参照以下附图说明所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本实用新型的其它特征、目的和优点将变得更明显。

图1为本实用新型实施例一提供的一种薄膜体声波谐振器的剖面结构示意图;

图2为本实用新型实施例一提供的另一种薄膜体声波谐振器的剖面结构示意图;

图3为本实用新型实施例三提供的一种薄膜体声波谐振器的制备方法的流程示意图;

图4-图5为本实用新型实施例三提供的一种薄膜体声波谐振器的制备方法各步骤对应的剖面结构示意图;

图6为本实用新型实施例三提供的另一种薄膜体声波谐振器的制备方法的流程示意图;

图7-图9为本实用新型实施例三提供的另一种薄膜体声波谐振器的制备方法各步骤对应的剖面结构示意图;

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