[实用新型]一种旁路电容能量泄放装置有效
| 申请号: | 201921419134.1 | 申请日: | 2019-08-29 |
| 公开(公告)号: | CN210898925U | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
| 发明(设计)人: | 杨东合;华思洋;崔利波;娄越雅 | 申请(专利权)人: | 北京蛙鸣华清环保科技有限公司 |
| 主分类号: | H02M1/32 | 分类号: | H02M1/32 |
| 代理公司: | 北京众泽信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11701 | 代理人: | 王晓红 |
| 地址: | 100011 北京市东城区安*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 旁路 电容 能量 装置 | ||
1.一种旁路电容能量泄放装置,包括印刷电路基板(1),其特征在于:所述印刷电路基板(1)的顶部设有旁路电容能量泄放装置(2),所述旁路电容能量泄放装置(2)的两侧固定连接有固定块(3),两个所述固定块(3)均通过螺栓(4)与印刷电路基板(1)的顶部固定连接,所述旁路电容能量泄放装置(2)左侧的底部通过密封套(5)固定连接有输出线(6),所述旁路电容能量泄放装置(2)右侧的底部通过密封套(5)固定连接有输入线(7),所述旁路电容能量泄放装置(2)的内部且位于印刷电路基板(1)的顶部设有设有三极管Q2、三极管Q4,MOS管Q1、MOS管Q3、MOS管Q5,电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9,电容C1,所述三极管Q2分别与电阻R2和电阻R4电性连接,所述电阻R4与电阻R3电性连接,所述电阻R3与电阻R5电性连接,所述电阻R5与MOS管Q3电性连接,所述MOS管Q3与电阻R6电性连接,所述电阻R6与电阻R7电性连接。
2.根据权利要求1所述的一种旁路电容能量泄放装置,其特征在于:所述电阻R6与电阻R7均与三极管Q4电性连接,所述三极管Q4与MOS管Q5电性连接,所述MOS管Q5与三极管Q4电性连接。
3.根据权利要求2所述的一种旁路电容能量泄放装置,其特征在于:所述MOS管Q5与电阻R8电性连接,所述MOS管Q5与电阻R9电性连接,所述电阻R9与电阻R8电性连接。
4.根据权利要求3所述的一种旁路电容能量泄放装置,其特征在于:所述电阻R9与电阻R8均与MOS管Q1电性连接,所述MOS管Q1与电阻R1电性连接,所述电阻R1与电阻R2电性连接。
5.根据权利要求4所述的一种旁路电容能量泄放装置,其特征在于:所述电阻R9与电阻R8并联,所述MOS管Q5与三极管Q4并联。
6.根据权利要求5所述的一种旁路电容能量泄放装置,其特征在于:所述电阻R9与电阻R8并联节点与MOS管Q5与三极管Q4并联节点之间设有电容C1。
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H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置





