[实用新型]一种激光器

说明书

本实用新型实施例提供了一种激光器，包括光源、芯片装置；还包括泵浦装置，所述泵浦装置包括中心设有通光孔的抛物面反射镜，所述芯片装置设置于所述抛物面反射镜的凹面一侧的中心轴线上，并与所述通光孔相对；所述泵浦装置还包括相对于所述抛物面的中心轴线对称设置的第一反射镜和第二反射镜，以便经由芯片装置反射回所述抛物面反射镜的第一光线，经由所述第一反射镜和所述第二反射镜再次反射回所述抛物面反射镜。在本实用新型的结构设计中，为实现对泵浦光源的成本控制，OPS激光器使用低成本的红光半导体光源，由于量子阱芯片对该泵浦波长的吸收率较低，设计上述多程吸收泵浦结构，因而在极大降低成本的前提下，实现较高的泵浦光利用效率。

技术领域

本实用新型涉及激光技术领域，尤其是涉及一种激光器。

背景技术

在光泵浦半导体(Optical-pumped semiconductor，OPS)腔内倍频紫外激光器技术领域，其半导体芯片的制冷方式一般采用高纯度钻石导热，因而成本非常高。该现有技术被美国专利US20110064099已经公开。在该专利中，其结构包括QW芯片、导热介质及热沉，热沉与导热介质具有良好的热接触，从而实现导热，这种导热结构采用钻石材料导热，成本非常高。另一方面，钻石的热膨胀系数与半导体材料的热膨胀系数并不是很匹配，具有相对复杂的光学贴合工艺过程，半导体芯片的温度要控制在一定的温度范围之内，如零下20℃-10℃的范围，该种结构也不容易实现温度控制。

此外，目前通过OPS并结合频率转换技术产生的紫外激光器，其半导体芯片基频发射波长890nmˉ1120nm，基频光(红外)经过第一个非线性晶体，倍频作用后产生二次谐波(可见)，基频光与二次谐波再通过第二个非线性晶体，和频作用后产生三次谐波(紫外)，经过两次频率变换，能量转换效率较低，并且谐振腔镜的镀膜成本较高。该现有技术已经被美国专利US10177524已经公开，在该专利中，如图1A所示，泵浦光pump radiation泵浦QW芯片产生波长为920nm的红外基频光，经过非线性晶体产生波长为460nm的二次谐波，基频光920nm与倍频光460nm经过非线性晶体和频产生波长为307nm的三次谐波。

再者，目前全固态紫外激光器主要采用产生基频光1064nm的激光增益介质(比如Nd：YAG)经过第一个非线性晶体，倍频作用后产生二次谐波532nm(可见)，基频光1064nm与二次谐波532nm再通过第二个非线性晶体，和频作用后产生三次谐波355nm(紫外)。再者，二次谐波532nm通过第二个非线性晶体，倍频作用后产生四次谐波266nm(紫外)。经过两次频率变换，能量转换效率较低，并且谐振腔镜的镀膜成本较高。此外，固体激光增益介质产生固定的激光谱线，因此，其应用领域受到一定的限制。该现有技术，美国专利CN107946891A已经公开，在该技术中,泵浦激光晶体产生波长为1064nm的基频光，经过非线性晶体产生波长为532nm的二次谐波，基频光1064nm与倍频光532nm经过非线性晶体和频产生波长为355nm的三次谐波。

实用新型内容

在本实用新型中，通过OPS并结合频率转换技术产生的紫外激光器，其半导体芯片基频发射波长890nm-1120nm，这样导致成本非常高；而在全固态紫外激光器中，其主要采用产生基频光1064nm的激光增益介质，因而成本也非常高。为解决上述技术问题，本实用新型实施例提供一种激光器，用于解决由于发射的基频光成本高的问题。

根据本实用新型实施例的第一方面，提供一种激光器，包括光源、芯片装置；

所述激光器还包括泵浦装置，所述泵浦装置包括中心设有通光孔的抛物面反射镜，所述芯片装置设置于所述抛物面反射镜的凹面一侧的中心轴线上，并与所述通光孔相对；所述泵浦装置还包括相对于所述抛物面的中心轴线对称设置的第一反射镜和第二反射镜，以便经由芯片装置反射回所述抛物面反射镜的第一光线，经由所述第一反射镜和所述第二反射镜再次反射回所述抛物面反射镜。