[实用新型]低压宽输入逆变电源装置

权利要求书

1.一种低压宽输入逆变电源装置，连接于直流电源和交流负载之间，其特征在于，包括依次连接的前级BOOST电路、后级BOOST电路以及逆变电路，还包括MCU控制电路，

所述前级BOOST电路包括：电解电容E2、E3；电容C8；电阻R104、R105、R106；电感L3；MOSFET管M8；以及二极管D6，前级BOOST电路的正极输入端接L3一端和E3的阳极，E3的阴极接前级BOOST电路的负极输入端，L3的另一端接D6的阳极并与M8漏极相连，D6的阴极与E2阳极相连并与前级BOOST电路的正极输出端相连，E2的阴极与前级BOOST电路的负极输出端相连，M8源极与R106一端相连，R106另一端与前级BOOST电路的负极输出端相连，M8栅极与R104的一端相连，R104的另一端与所述MCU控制电路相连，M8栅极和前级BOOST电路的负极输入端之间还接有R10S，前级BOOST电路的正负极输出端之间还接有C8，前级BOOST电路的负极输出端与前级BOOST电路的负极输入端相连，

所述后级BOOST电路包括：MOSFET管M1、M2；二极管D1、D2、D3、D4；电阻R1、R11；电容C1、C13；电解电容E1；以及变压器T1，后级BOOST电路的正极输入端与T1的3、4脚相连，T1的3、4脚与M1漏极之间串接有R1和C1，T1的3、4脚与M2的漏极之间串接有R11和C13，M1漏极还与T1的1、2脚相连，M2漏极还与T1的5、6角相连，M1源极与M2源极相连并接至后级BOOST电路D的负极输入端，M1栅极与M2栅极分别与所述MCU控制电路相连，D1、D2、D3、D4组成整流电路，D1与D2的阴极相连并接至后级BOOST电路正极输出端，D3与D4的阴极相连并接至后级BOOST电路负极输出端，T1的10脚与D1阳极及D4阴极相连，T1的8脚与D2阳极及D3阴极相连，后级BOOST电路的正极输出端连接E1的正极，后级BOOST电路的负极输出端连接E1的负极，

所述MCU控制电路包括MCU、调理电路和MOSFET驱动电路，对所述前级BOOST电路、所述后级BOOST电路和所述逆变电路的物理量进行采集及控制，

所述逆变电路为半桥逆变电路或全桥逆变电路。

2.根据权利要求1所述的低压宽输入逆变电源装置，其特征在于，所述MCU控制电路还包括调理电路，将来自于所述直流电源和所述交流负载的信号进行调理后接入所述MCU的输入端。

3.根据权利要求1或2所述的低压宽输入逆变电源装置，其特征在于，还包括连接于所述直流电源和所述前级BOOST电路之间的防反接电路，

所述防反接电路包括：电阻R2、R3、R4；二极管D1；以及MOSFET管Q1，防反接电路的正极输入端与Q1的漏极相连，Q1的源极与防反接电路的正极输出端相连，Q1的栅极与R4的一端相连，R4的另一端与D1的阳极相连，D1的阴极与防反接电路的正极输出端相连，R2、R3串联并接在防反接电路的正极输出端与防反接电路的负极输出端之间，R2与R3之间接D1的阳极，防反接电路的负极输入端、防反接电路的负极输出端相连。

4.根据权利要求3所述的低压宽输入逆变电源装置，其特征在于，所述防反接电路还包括电阻R5、二极管D2和发光二极管LED1，防反接电路的正极输入端接LED1的阴极，LED1的阳极接D2的阴极，D2的阳极与R5的一端相连，R5的另一端与防反接电路的负极输入端相连。

5.根据权利要求1或2所述的低压宽输入逆变电源装置，其特征在于，所述逆变电路为全桥逆变电路，该全桥逆变电路包括：MOSFET管M3、M4、M5、M6；差模电感L1；以及电容C5，M3与M4的漏极相连并接至全桥逆变电路的正极输入端，M5与M6的源极相连并接至全桥逆变电路的负极输入端，M4源极与M5漏极相连并接至L1的一个输入脚，M3源极与M6漏极相连并接至L1的另一个输入脚，M3、M4、M5、M6的栅极接至所述MCU控制电路，L1的一个输出脚接至全桥逆变电路输出端L，L1的另一个输出脚接至全桥逆变电路输出端N，C5接于全桥逆变电路输出端L和全桥逆变电路输出端N之间。