[实用新型]集成图像传感器

权利要求书

1.一种集成图像传感器，其特征在于，包括像素的阵列，每个像素均包括：

光敏区域，被配置为通过生成电子-空穴对以形成代表所生成的电子-空穴对中的电子数的第一信号和代表所生成的电子-空穴对中的空穴数的第二信号，来集成发光信号；

第一电路部分，被配置为存储避光的所述第一信号；

第二电路部分，被配置为存储避光的所述第二信号；以及

第三电路部分，被配置为读取所述第一信号和所述第二信号，并且能够在所述第一信号和所述第二信号之间执行组合操作，以生成代表图像的组合信号，其中所述集成图像传感器被定制为在全局快门控制模式下进行操作。

2.根据权利要求1所述的集成图像传感器，其特征在于，所述第三电路部分被配置为在第一位数上对每个第一信号和每个第二信号进行编码，并且在大于所述第一位数的第二位数上对每个组合信号进行编码。

3.根据权利要求1所述的集成图像传感器，其特征在于，所述第二电路部分包括空穴存储区域，所述空穴存储区域与所述光敏区域电隔离并且被配置为通过电容效应接收所述第二信号，并且所述第三电路部分被配置为通过电容效应接收所述第二信号，所述第三电路部分包括读取节点和处理电路，所述读取节点和所述处理电路被配置为读取、编码和组合所述第一信号和所述第二信号。

4.根据权利要求3所述的集成图像传感器，其特征在于，所述阵列在半导体衬底中产生，并且每个像素被设置在阱中且完全被相应的且独立的电容隔离沟槽环绕，所述电容隔离沟槽内衬绝缘材料并且填充有半导体填充材料。

5.根据权利要求4所述的集成图像传感器，其特征在于，所述第二电路部分包括：

第一电容器，连接至所述光敏区域，并且通过所述阱、所述绝缘材料和所述填充材料形成，所述填充材料形成所述空穴存储区域；

第二电容器，连接在所述第一电容器和参考电源端子之间，并且通过所述填充材料、所述绝缘材料以及所述衬底在所述像素外的部分形成；

第三电容器，耦合在所述第二电路部分和所述读取节点之间；以及

所述传感器还包括控制电路，所述控制电路被配置为将所述光敏区域、所述空穴存储区和所述读取节点的电位重置为参考值。

6.根据权利要求5所述的集成图像传感器，其特征在于，所述第三电容器耦合在所述阱和所述读取节点之间。

7.根据权利要求5所述的集成图像传感器，其特征在于，所述第三电容器耦合在所述填充材料和所述读取节点之间。