[实用新型]一种光刻胶清除装置有效
| 申请号： | 201921367832.1 | 申请日： | 2019-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN210668285U | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 吴从军 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 清除 装置 | ||
1.一种光刻胶清除装置，其特征在于，包括：
用于容置光刻胶清洗溶剂的清洗槽，其中，所述光刻胶清洗溶剂用于清洗待清洗半导体器件；
用于向所述待清洗半导体器件发射超声波的超声波发射器，所述超声波发射器设置于所述清洗槽内。
2.根据权利要求1所述的光刻胶清除装置，其特征在于，还包括：开设于所述清洗槽上的排水孔、以及用于所述过滤光刻胶清洗溶剂的过滤器；所述排水孔通过管道连接所述过滤器。
3.根据权利要求2所述的光刻胶清除装置，其特征在于，还包括：开设于所述清洗槽上的注水孔、以及将过滤后的光刻胶清洗溶剂引入所述注水孔的泵；所述过滤器通过管道连接所述泵，所述泵通过管道连接至所述注水孔。
4.根据权利要求3所述的光刻胶清除装置，其特征在于，还包括：用于加热所述光刻胶清洗溶剂的加热器；所述加热器设置于所述过滤器和所述泵之间。
5.根据权利要求3所述的光刻胶清除装置，其特征在于，还包括：储水槽；所述储水槽设置于所述过滤器与所述泵之间。
6.根据权利要求5所述的光刻胶清除装置，其特征在于，还包括：用于加热所述光刻胶清洗溶剂的加热器；所述加热器设置于所述储水槽底部。
7.根据权利要求3至6中任一项所述的光刻胶清除装置，其特征在于，还包括：排水阀，所述排水阀设置于所述排水孔与管道连接部分；控制器，所述控制器连接所述排水阀和所述泵，用于控制所述排水阀和所述泵打开和/或关闭。
8.根据权利要求1所述的光刻胶清除装置，其特征在于，还包括：用于加热所述光刻胶清洗溶剂的加热器；所述加热器设置于所述清洗槽底部。
9.根据权利要求1所述的光刻胶清除装置，其特征在于，所述超声波发射器设置于所述清洗槽的底壁上。
10.根据权利要求1所述的光刻胶清除装置，其特征在于，所述超声波发射器为多个。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
